Phương pháp điều khiển chủ yếu được áp dụng cho bộ nghịch lưu dòng là:

Phát biểu nào sau đây đúng cho định nghĩa về tốc độ tăng dòng thuận di/dt:

Lời giải:

Đáp án đúng: A

Tốc độ tăng dòng thuận di/dt là một thông số quan trọng của SCR (Silicon Controlled Rectifier). Nó biểu thị tốc độ thay đổi tối đa của dòng điện thuận mà SCR có thể chịu được mà không bị hỏng. Nếu tốc độ tăng dòng vượt quá giá trị này, SCR có thể bị kích dẫn ngoài ý muốn hoặc bị phá hủy do hiệu ứng tập trung dòng điện. Vì vậy, đáp án đúng phải là đáp án chỉ ra rằng nếu vượt quá giá trị này, SCR sẽ hỏng.

Câu 40:

Với các ngõ ra của mạch chỉnh lưu và một số mạch khác, dạng sóng không phải là hình sin (phi sin) mà nó bao gồm:

Lời giải:

Đáp án đúng: B

Dạng sóng phi sin bao gồm thành phần tần số cơ bản (tần số gốc) và các hoạ tần. Hoạ tần là các tần số gấp bội lần tần số cơ bản. Trong các mạch chỉnh lưu và các mạch tương tự, thành phần tần số cơ bản thường có biên độ lớn nhất, còn các hoạ tần có biên độ nhỏ hơn và là bội số của tần số cơ bản.

Câu 1:

Phát biểu nào sau đây thì đúng về đặc tính của transistor (BJT) công suất:

Lời giải:

Đáp án đúng: D

Transistor công suất có những đặc tính sau:

* Độ lợi dòng nhỏ còn tuỳ thuộc vào dòng thu và nhiệt độ, dòng thu càng lớn độ lợi càng nhỏ: Đúng. Ở các dòng thu lớn, hiệu ứng crowding (hiệu ứng dồn dòng) xảy ra, làm giảm độ lợi dòng.
* Ngoài hiện tượng huỷ thác do phân cực ngược còn có hiện tượng huỷ thác thứ cấp do transistor hoạt động ở điện thế và dòng lớn: Đúng. Hiện tượng huỷ thác thứ cấp (second breakdown) xảy ra do sự tập trung dòng điện tại một điểm, gây ra quá nhiệt và phá hủy transistor.

Vì vậy, đáp án đúng là cả a và c.

Câu 2:

Phát biểu nào sau đây đúng cho cấu trúc của mosfet công suất:

Lời giải:

Đáp án đúng: B

Mosfet công suất được thiết kế để chịu được dòng điện lớn. Cấu trúc của nó thường có các đặc điểm sau:

* Cấu trúc xen kẽ của các tiếp giáp np: Điều này cho phép phân bố dòng điện đồng đều hơn trên chip, giúp tăng khả năng chịu dòng.
* Cấu trúc kênh dẫn theo hình chữ V (V-MOSFET): Thiết kế này tăng diện tích kênh dẫn, từ đó tăng khả năng dẫn dòng.

Vì vậy, cả a và b đều đúng. Tuy nhiên, phương án c không chính xác vì diện tích tiếp xúc của vùng hiếm lớn chứ không nhỏ. Do đó, phương án d (Các câu a, b, c đều đúng) không đúng. Vậy, đáp án phù hợp nhất là câu có cả a và b đúng, nhưng vì không có lựa chọn đó nên ta cần xem xét lại. Vì cả a và b đều là các đặc điểm quan trọng của MOSFET công suất, đáp án chính xác nhất phải bao gồm cả hai đặc điểm đó. Câu trả lời chính xác nhất phải là kết hợp của a và b. Trong các lựa chọn được cung cấp, không có lựa chọn nào hoàn toàn đúng. Tuy nhiên, câu 1 và 2 có vẻ đúng hơn câu 3.

* Tuy nhiên, theo một số tài liệu thì cấu trúc V-Mosfet giúp tăng khả năng chịu dòng lớn, nên câu 2 đúng hơn.

Câu 3:

Phát biểu nào sau đây đúng cho đặc tính của mosfet công suất:

Lời giải:

Đáp án đúng: D

Mosfet công suất có các đặc tính sau:

Điện trở giữa cực D (Drain) và S (Source) khi dẫn nhỏ, thường chỉ vài chục mΩ, giúp giảm thiểu tổn hao công suất khi hoạt động.

Tổng trở vào rất lớn, cho phép điều khiển dễ dàng với dòng điều khiển nhỏ. Điện thế cực đại VGS (điện áp giữa cực Gate và Source) thường ở mức vài chục volt (ví dụ, ±20V).

Thời gian đáp ứng nhanh, cho phép hoạt động ở tần số cao (ví dụ, > 100kHz). Đặc tính này duy trì trên một dãy nhiệt độ rộng.

Do đó, tất cả các câu a, b, và c đều đúng.

Câu 4:

Phát biểu nào sau đây đúng trong và thuận lợi trong việc kích dẫn triac:

Lời giải: