JavaScript is required

Phát biểu nào sau đây đúng với đặc tính của IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor):

A.

Công suất cung cấp cho tải trung bình (khoảng vài kW)

B.

Tần số làm việc cao (vài kHz)

C.

Thời gian giao hoán ngắt bé (khoảng 0,15 µs )

D.

Các phát biểu trên đều đúng

Trả lời:

Đáp án đúng: D


IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) là một linh kiện bán dẫn công suất kết hợp ưu điểm của cả MOSFET và BJT. Do đó, nó có các đặc tính sau: * **Công suất cung cấp cho tải trung bình (khoảng vài kW):** IGBT thường được sử dụng trong các ứng dụng công suất trung bình, ví dụ như trong các bộ biến tần, UPS, và các ứng dụng điều khiển động cơ. Vì vậy, phát biểu này đúng. * **Tần số làm việc cao (vài kHz):** IGBT có thể hoạt động ở tần số cao hơn so với BJT, nhưng thấp hơn so với MOSFET. Tần số làm việc điển hình của IGBT là trong khoảng vài kHz đến vài chục kHz. Vì vậy, phát biểu này đúng. * **Thời gian giao hoán ngắt bé (khoảng 0,15 µs ):** IGBT có thời gian chuyển mạch nhanh, cho phép nó hoạt động hiệu quả trong các ứng dụng chuyển mạch nhanh. Thời gian giao hoán ngắt bé là một ưu điểm của IGBT. Vì vậy, phát biểu này đúng. Vì cả ba phát biểu trên đều đúng, nên đáp án đúng là "Các phát biểu trên đều đúng".

Đề cương ôn thi với 80+ câu hỏi môn Điện công suất có đáp án dành cho các bạn sinh viên Đại học - Cao đẳng , đặc biệt là chuyên ngành Điện tử hệ thống các kiến thức và ôn thi dễ dàng hơn.


40 câu hỏi 50 phút

Câu hỏi liên quan