Phát biểu nào sau đây thì đúng về đặc tính của transistor (BJT) công suất:

Độ lợi dòng nhỏ còn tuỳ thuộc vào dòng thu và nhiệt độ, dòng thu càng lớn độ lợi càng nhỏ

Độ lợi dòng lớn còn tuỳ thuộc vào dòng thu và nhiệt độ, dòng thu càng lớn độ lợi càng lớn

Ngoài hiện tượng huỷ thác do phân cực nghịch còn có hiện tượng huỷ thác thứ cấp do transistor hoạt động ở điện thế và dòng lớn

Các câu a và c thì đúng

Trả lời:

Đáp án đúng: D

Transistor công suất có những đặc tính sau: * **Độ lợi dòng nhỏ còn tuỳ thuộc vào dòng thu và nhiệt độ, dòng thu càng lớn độ lợi càng nhỏ:** Đúng. Ở các dòng thu lớn, hiệu ứng crowding (hiệu ứng dồn dòng) xảy ra, làm giảm độ lợi dòng. * **Ngoài hiện tượng huỷ thác do phân cực ngược còn có hiện tượng huỷ thác thứ cấp do transistor hoạt động ở điện thế và dòng lớn:** Đúng. Hiện tượng huỷ thác thứ cấp (second breakdown) xảy ra do sự tập trung dòng điện tại một điểm, gây ra quá nhiệt và phá hủy transistor. Vì vậy, đáp án đúng là cả a và c.

80+ câu trắc nghiệm Điện công suất có lời giải - Phần 2

Đề cương ôn thi với 80+ câu hỏi môn Điện công suất có đáp án dành cho các bạn sinh viên Đại học - Cao đẳng , đặc biệt là chuyên ngành Điện tử hệ thống các kiến thức và ôn thi dễ dàng hơn.

40 câu hỏi 50 phút

Bắt đầu thi

Câu hỏi liên quan

Câu 2:

Phát biểu nào sau đây đúng cho cấu trúc của mosfet công suất:

Lời giải:

Đáp án đúng: B

Mosfet công suất được thiết kế để chịu được dòng điện lớn. Cấu trúc của nó thường có các đặc điểm sau:

* Cấu trúc xen kẽ của các tiếp giáp np: Điều này cho phép phân bố dòng điện đồng đều hơn trên chip, giúp tăng khả năng chịu dòng.
* Cấu trúc kênh dẫn theo hình chữ V (V-MOSFET): Thiết kế này tăng diện tích kênh dẫn, từ đó tăng khả năng dẫn dòng.

Vì vậy, cả a và b đều đúng. Tuy nhiên, phương án c không chính xác vì diện tích tiếp xúc của vùng hiếm lớn chứ không nhỏ. Do đó, phương án d (Các câu a, b, c đều đúng) không đúng. Vậy, đáp án phù hợp nhất là câu có cả a và b đúng, nhưng vì không có lựa chọn đó nên ta cần xem xét lại. Vì cả a và b đều là các đặc điểm quan trọng của MOSFET công suất, đáp án chính xác nhất phải bao gồm cả hai đặc điểm đó. Câu trả lời chính xác nhất phải là kết hợp của a và b. Trong các lựa chọn được cung cấp, không có lựa chọn nào hoàn toàn đúng. Tuy nhiên, câu 1 và 2 có vẻ đúng hơn câu 3.

* Tuy nhiên, theo một số tài liệu thì cấu trúc V-Mosfet giúp tăng khả năng chịu dòng lớn, nên câu 2 đúng hơn.

Câu 3:

Phát biểu nào sau đây đúng cho đặc tính của mosfet công suất:

Lời giải:

Đáp án đúng: D

Mosfet công suất có các đặc tính sau:

Điện trở giữa cực D (Drain) và S (Source) khi dẫn nhỏ, thường chỉ vài chục mΩ, giúp giảm thiểu tổn hao công suất khi hoạt động.

Tổng trở vào rất lớn, cho phép điều khiển dễ dàng với dòng điều khiển nhỏ. Điện thế cực đại VGS (điện áp giữa cực Gate và Source) thường ở mức vài chục volt (ví dụ, ±20V).

Thời gian đáp ứng nhanh, cho phép hoạt động ở tần số cao (ví dụ, > 100kHz). Đặc tính này duy trì trên một dãy nhiệt độ rộng.

Do đó, tất cả các câu a, b, và c đều đúng.

Câu 4:

Phát biểu nào sau đây đúng trong và thuận lợi trong việc kích dẫn triac:

Lời giải:

Đáp án đúng: A

Triac có thể được kích dẫn bằng cả dòng điện dương và dòng điện âm ở cả hai cực tính của điện áp đặt vào. Tuy nhiên, độ nhạy kích dẫn của triac khác nhau tùy thuộc vào cực tính của dòng kích và điện áp. Thông thường, chế độ kích dương (dòng kích dương khi điện áp qua triac dương, hoặc dòng kích âm khi điện áp qua triac âm) thường được sử dụng vì nó cho độ nhạy kích tốt hơn và dễ điều khiển hơn.

Câu 5:

Phát biểu nào sau đây thì đúng cho cách kích triac:

Lời giải:

Đáp án đúng: B

Triac là một linh kiện bán dẫn có khả năng dẫn điện theo cả hai chiều khi được kích hoạt. Do đó, việc kích triac bằng điện AC hoặc xung sẽ thông dụng hơn so với điện DC. Điện DC có thể gây khó khăn trong việc duy trì trạng thái dẫn của triac khi dòng điện tải đổi chiều. Vì vậy, phương án 2 là đáp án đúng.

Câu 6:

Phát biểu nào đúng cho SCS (silicon controlled switch):

Lời giải:

Đáp án đúng: C

SCS (Silicon Controlled Switch) là một loại thyristor đặc biệt. Nó có cấu trúc tương tự như SCR (Silicon Controlled Rectifier) nhưng có thêm một cực điều khiển (G) thứ hai. Một cực G được sử dụng để kích xung dương điều khiển đóng và cực G còn lại được sử dụng kích xung âm để điều khiển ngắt. Vì vậy, phát biểu đúng là "Có cấu tạo giống như SCR nhưng có hai cực G kích xung âm và xung dương để điều khiển đóng hoặc ngắt".

Câu 7:

Phát biểu nào sau đây đúng cho GTO (gate turn off SCR):

Lời giải: