Phương pháp bù nhiệt để ổn định điểm làm việc trong các sơ đồ ổn định phi tuyến, người ta có thể dùng Diode và transistor (cùng loại bán dẫn) để bù nhiệt cho nhau vì:

Mạch khuếch đại Darlington là một cấu hình mạch đặc biệt sử dụng hai transistor lưỡng cực (BJT) mắc nối tiếp để đạt được hệ số khuếch đại dòng điện rất cao. Do đặc điểm mắc nối tiếp, trở kháng vào của mạch Darlington cũng rất lớn.

* Phương án A: Có trở kháng vào lớn - Đúng, do cấu trúc mắc nối tiếp của hai transistor.
* Phương án B: Có hệ số khuếch đại dòng điện lớn - Đúng, hệ số khuếch đại dòng điện là tích của hệ số khuếch đại dòng của hai transistor.
* Phương án C: Hệ số khuếch đại điện áp lớn - Sai, hệ số khuếch đại điện áp không phải là ưu điểm nổi bật của mạch Darlington, thường xấp xỉ 1.
* Phương án D: Cả A và B - Đúng, vì cả A và B đều là đặc điểm của mạch Darlington.

Vậy đáp án đúng là phương án D.

Để xác định hệ số khuếch đại dòng điện của mạch khuếch đại hình chung với rce vô cùng lớn và RE >> re, ta cần phân tích mạch điện. Trong cấu hình này, hệ số khuếch đại dòng điện (Av) được xác định chủ yếu bởi tỷ lệ giữa điện trở tải (RC) và điện trở phát (RE). Do đó, hệ số khuếch đại dòng điện xấp xỉ bằng RC/RE. Các đáp án khác không phù hợp vì chúng không phản ánh mối quan hệ này hoặc chứa các thành phần không liên quan đến việc xác định hệ số khuếch đại dòng điện trong trường hợp này.

Trở kháng RA trong sơ đồ tương đương của mạch khuếch đại emitter chung (CE) được nhìn từ phía collector (C) xuống, khi rce tiến đến vô cùng, sẽ tương đương với RE // re. Vì vậy, đáp án đúng là R_E//r_e

Để tính hệ số khuếch đại vi sai của mạch, ta cần xác định các thông số của mạch và áp dụng công thức phù hợp. Dựa vào hình vẽ (giả sử hình vẽ cung cấp đủ thông tin về các điện trở và transistor), ta sẽ phân tích mạch khuếch đại vi sai. Tuy nhiên, do không có thông tin cụ thể về giá trị các điện trở (R1, R2, RC) và các thông số của transistor (ví dụ: gm - độ dẫn truyền), chúng ta không thể tính toán chính xác hệ số khuếch đại vi sai Ad. Thông thường, công thức tính hệ số khuếch đại vi sai sẽ có dạng Ad = gm * RC, hoặc một biểu thức phức tạp hơn tùy thuộc vào cấu hình mạch cụ thể.

Vì không có đủ thông tin để tính toán, ta không thể xác định đáp án chính xác trong các lựa chọn đã cho. Do đó, đáp án chính xác nhất trong trường hợp này là "Đáp án khác". Tuy nhiên, nếu có thông tin cụ thể về giá trị các điện trở và thông số transistor, ta có thể sử dụng công thức Ad = Vout/Vin để tính hệ số khuếch đại vi sai.

Tuy nhiên, do không có đủ dữ liệu, đáp án chính xác nhất hiện tại là "Đáp án khác".

Trong mạch khuếch đại dùng FET với phân cực tự động (self-bias), điện áp VGS (điện áp giữa cực cổng và cực nguồn) được xác định bởi điện áp rơi trên điện trở nguồn Rs. Dòng điện ID chạy qua điện trở Rs, tạo ra điện áp Rs*ID. Vì cực nguồn được nối trực tiếp xuống đất (0V) hoặc có điện trở nối xuống đất, và cực cổng thường được nối với điện trở lớn về phía điện áp một chiều (VCC) hoặc cũng được giữ ở mức điện áp gần 0V (do điện trở lớn), VGS sẽ có giá trị âm và bằng -Rs*ID.