Cấu hình Emitter chung (EC) có đặc điểm:

Trở kháng vào của mạch khuếch đại được nhìn từ cực B của transistor, bao gồm trở kháng RB song song với trở kháng vào của transistor. Trở kháng vào của transistor được tính bằng βre + (1+β)RE. Do đó, trở kháng vào của mạch là RB//(βre + (1+β)RE). Vì ZB = βre + (1+β)RE, nên trở kháng vào của mạch là RB//ZB.

Trong mạch khuếch đại transistor, hệ số khuếch đại dòng điện (A i) được xác định bởi tỷ số giữa dòng điện đầu ra và dòng điện đầu vào. Với giả thiết r ce vô cùng lớn và R B >> βr e, hệ số khuếch đại dòng điện xấp xỉ bằng β (beta), là hệ số khuếch đại dòng điện của transistor. Các phương án khác không phản ánh đúng công thức tính hoặc các yếu tố ảnh hưởng đến hệ số khuếch đại trong điều kiện đã cho.

Để tính trở kháng ra của mạch khuếch đại này, ta cần xem xét cấu hình mạch và các điện trở liên quan. Trong cấu hình này, trở kháng ra (Zout) xấp xỉ bằng điện trở RC. Công thức tính Zout ≈ Rc // rce. Vì rce = 50kΩ và Rc = 2.2kΩ, ta có thể tính Zout ≈ 2.2kΩ // 50kΩ. Giá trị này xấp xỉ bằng 2.107KΩ.

Để xác định chế độ tĩnh của mạch khuếch đại, ta cần tính dòng điện collector (I C ) và điện áp collector-emitter (V CE ). 1. Tính dòng điện base (I B ): I B = (V CC - V BE ) / R B . Giả sử V BE ≈ 0.7V, ta có I B = (20V - 0.7V) / 470kΩ = 19.3V / 470kΩ ≈ 41.06 μA = 0.04106 mA. 2. Tính dòng điện collector (I C ): I C = β * I B = 100 * 0.04106 mA = 4.106 mA. 3. Tính điện áp collector-emitter (V CE ): V CE = V CC - I C * R C = 20V - 4.106mA * 2.2kΩ = 20V - 9.0332V ≈ 10.9668 V ≈ 10.97V. Vậy, I C ≈ 4.106mA và V CE ≈ 10.97V.

Trong mạch khuếch đại BJT với cấu hình Collector chung (hoặc emitter follower), trở kháng ra (output impedance) xấp xỉ bằng điện trở RC mắc ở collector. Trong trường hợp này, R_C = 2.2KΩ. Do đó, trở kháng ra xấp xỉ bằng 2.2KΩ.