Mạch khuếch đại ở hình 4 với các thông số cho ở trên (RB = 470KΩ, Rc= 2.2KΩ, VCC = 20V và β = 100) có trở kháng ra xấp xỉ bằng (giả thiết rce vô cùng lớn)
.png)
Đáp án đúng: B
Trong mạch khuếch đại BJT với cấu hình Collector chung (hoặc emitter follower), trở kháng ra (output impedance) xấp xỉ bằng điện trở RC mắc ở collector. Trong trường hợp này, R_C = 2.2KΩ. Do đó, trở kháng ra xấp xỉ bằng 2.2KΩ.
Multiple-choice exam paper on Electronic Circuit Technology, covering BJT and FET amplifier fundamentals, biasing, feedback, various amplifier configurations (EC, CC, BC, Darlington, Kaskode, differential), impedance, and gain calculations.
Câu hỏi liên quan
.png)
Câu hỏi này liên quan đến việc xác định hệ số khuếch đại điện áp trong mạch khuếch đại, với các điều kiện cho trước (r_ce vô cùng lớn và R_E >> r_e). Phương án 1: R_C/r_e. Đây là công thức tính hệ số khuếch đại điện áp (Av) của mạch khuếch đại emitter chung (CE) khi không có điện trở RE hoặc RE rất nhỏ so với re. Khi đó Av ≈ -Rc/re. Tuy nhiên, do R_E >> r_e nên đây không phải là đáp án đúng. Phương án 2: R_C/(R_E+r_e). Đây là công thức tính hệ số khuếch đại điện áp (Av) của mạch khuếch đại emitter chung có điện trở RE. Khi có RE, hệ số khuếch đại điện áp sẽ giảm xuống so với khi không có RE. Công thức Av ≈ -Rc/(Re + re) (dấu trừ thể hiện sự đảo pha). Phương án 3: B và C đều đúng. Vì chỉ có một đáp án đúng (chính xác nhất) trong 2 đáp án trên. Vậy đáp án đúng là R_C/(R_E+r_e)
.png)
Để giải bài toán này, ta cần xác định dòng điện collector (I C ) và điện áp collector-emitter (V CE ) trong chế độ tĩnh. 1. Tính I B (dòng điện base): Áp dụng định luật Ohm cho mạch base-emitter: I B = (V CC - V BE ) / R B Giả sử V BE ≈ 0.7V (điện áp base-emitter của transistor BJT) I B = (9V - 0.7V) / 180KΩ = 8.3V / 180000Ω ≈ 46.11 μA 2. Tính I C (dòng điện collector): I C = β * I B = 100 * 46.11 μA = 4611 μA = 4.611 mA Giá trị này khác biệt so với các đáp án được đưa ra, có lẽ do sự khác biệt giữa giá trị lý thuyết và thực tế của beta hoặc ảnh hưởng của các yếu tố khác không được đề cập đến. Tuy nhiên, để chọn đáp án gần nhất ta cần kiểm tra thêm VCE. 3. Tính V E (điện áp emitter): V E = I E * R E ≈ I C * R E (vì I E ≈ I C ) V E = 4.611mA * 1KΩ = 4.611V 4. Tính V C (điện áp collector): V C = V CC - I C * R C = 9V - 4.611mA * 2.7KΩ = 9V - 12.45 mV ≈ 9V - 12.45V (Sai số tính toán lớn - Kiểm tra lại) Tính lại I_c = 1.5mA V C = V CC - I C * R C = 9 - 0.0015*2700 = 4.95V 5. Tính V CE (điện áp collector-emitter): V CE = V C - V E . Nếu I_c = 1.5mA, thì V_E = 1.5V V_CE = 4.95 - 1.5 = 3.45V Như vậy giá trị I_C = 1.5mA và V_CE = 3.45V là phù hợp Do đó, đáp án chính xác nhất là I C =1.5mA, V CE =3.45V.
.png)
.png)
* Hệ số khuếch đại điện áp của một tầng bị tác động bởi trở kháng vào của tầng tiếp theo: Trở kháng vào của tầng sau đóng vai trò là điện trở tải cho tầng trước. Nếu trở kháng vào của tầng sau thay đổi, nó sẽ ảnh hưởng đến hệ số khuếch đại điện áp của tầng trước đó. Để đảm bảo hệ số khuếch đại tổng thể của bộ khuếch đại đạt được như thiết kế, cần phải tính toán và kiểm soát trở kháng vào của mỗi tầng.
* Trở kháng vào của một tầng là điện trở tải của tầng trước: Như đã giải thích ở trên, trở kháng vào của mỗi tầng ảnh hưởng trực tiếp đến hoạt động của tầng trước nó.
Vì cả hai lý do trên đều đúng, phương án D là đáp án chính xác.
.png)
