Mạch chỉnh lưu cầu một pha đối xứng có:

2 SCR

4 SCR

2 diode và 2 SCR

6 SCR

D ≤ 0

0 ≤ D ≤ 1

0 ≤ D

1 ≤ D

(1- D)E

DE

E 1

E 1+

Dạng sóng ra bất kỳ

Tần số khác tần số điện khu vực

Dạng sóng ra tuần hoàn

Tất cả các câu a, b, c đều đúng

Phương pháp điều chế độ rộng xung

Phương pháp điều biên

Phương pháp điều khiển dòng điện

Phương pháp điều thế

Là trị số cực đại của tốc độ tăng dòng cho phép qua SCR, nếu vượt trị số này SCR sẽ hỏng

Là trị số cực đại của tốc độ tăng dòng không cho phép qua SCR, nếu vượt trị số này SCR sẽ dẫn

Là trị số cực tiểu của tốc độ tăng dòng cho phép qua SCR, nếu vượt trị số này SCR sẽ hỏng

Là trị số cực tiểu của tốc độ tăng dòng cho phép qua SCR, nếu vượt trị số này SCR sẽ dẫn

Thành phần tần số cơ bản có biên độ nhỏ, hoạ tần là bội số của tần số cơ bản

Thành phần tần số cơ bản có biên độ lớn nhất, hoạ tần là bội số của tần số cơ bản

Thành phần tần số cơ bản có biên độ nhỏ, hoạ tần là ước số của tần số cơ bản

Thành phần tần số cơ bản có biên độ lớn nhất, hoạ tần là ước số của tần số cơ bản

Độ lợi dòng nhỏ còn tuỳ thuộc vào dòng thu và nhiệt độ, dòng thu càng lớn độ lợi càng nhỏ

Độ lợi dòng lớn còn tuỳ thuộc vào dòng thu và nhiệt độ, dòng thu càng lớn độ lợi càng lớn

Ngoài hiện tượng huỷ thác do phân cực nghịch còn có hiện tượng huỷ thác thứ cấp do transistor hoạt động ở điện thế và dòng lớn

Các câu a và c thì đúng

Có cấu trúc xen kẻ của các tiếp giáp np để cấp dòng lớn

Có cấu trúc kênh dẫn theo hình chữ V nên còn gọi là Vmosfet để cấp dòng lớn

Có diện tích tiếp xúc của vùng hiếm nhỏ để cấp dòng lớn

Các câu a, b, c đều đúng

Điện trở giửa cực D và S khi dẫn nhỏ (vài chục mΩ )

Tổng trở vào rất lớn, điện thế cực đại VGS cở vài chục volt

Thời gian đáp ứng trên dãy nhiệt độ rộng, thời gian giao hoán nhanh (> 100kHz)

Tất cả các câu a, b, c đều đúng