Diode bán dẫn là một linh kiện:

UJT (Unijunction Transistor) là một loại transistor đặc biệt có một junction. Cấu trúc của UJT bao gồm một thanh bán dẫn loại N (nền N) với một vùng bán dẫn loại P (Emitter - cực E) được khuếch tán vào giữa thanh N. Khi UJT có nền N, cực E sẽ tương ứng với cực A (Anode) của diode được hình thành.

Diode cảm quang là một loại diode bán dẫn có khả năng thay đổi dòng điện khi có ánh sáng chiếu vào. Nó hoạt động dựa trên hiệu ứng quang điện. Do đó, đáp án đúng là "Cảm nhận ánh sáng". Các lựa chọn khác không liên quan: Varicap là diode biến dung, diode phát sáng (LED) phát ra ánh sáng, và diode Zener được sử dụng để ổn áp.

Để transistor NPN dẫn (hoạt động ở chế độ khuếch đại), điện áp giữa các cực phải thỏa mãn điều kiện: V_C > V_B > V_E. Điều này có nghĩa là điện áp ở cực Collector (C) phải lớn hơn điện áp ở cực Base (B), và điện áp ở cực Base (B) phải lớn hơn điện áp ở cực Emitter (E).

Điểm làm việc tĩnh (Q-point) của JFET được xác định bởi ba tham số: điện áp cổng-nguồn (V_GS), dòng máng (I_D), và điện áp máng-nguồn (V_DS). Các tham số này xác định trạng thái hoạt động của JFET trong mạch.

MOSFET tăng kênh (Enhancement-mode MOSFET) hoạt động dựa trên việc tạo kênh dẫn điện khi điện áp cổng (VGS) vượt quá một ngưỡng nhất định (VT). Ở trạng thái ban đầu, không có kênh dẫn điện giữa nguồn (Source) và máng (Drain). MOSFET loại tăng kênh P (P-channel Enhancement-mode MOSFET) hoạt động tương tự, nhưng sử dụng điện áp âm để tạo kênh dẫn điện. Vì vậy, MOSFET loại tăng kênh P không có sẵn kênh P. MOSFET loại hiếm kênh (Depletion-mode MOSFET), ngược lại, có một kênh dẫn điện sẵn có giữa nguồn và máng ngay cả khi VGS = 0.

Do đó, MOSFET loại tăng kênh P có cấu tạo khác biệt so với MOSFET loại hiếm kênh P ở chỗ nó không có sẵn kênh P.