Tọa độ điểm phân cực Q của JFET là:

MOSFET tăng kênh (Enhancement-mode MOSFET) hoạt động dựa trên việc tạo kênh dẫn điện khi điện áp cổng (VGS) vượt quá một ngưỡng nhất định (VT). Ở trạng thái ban đầu, không có kênh dẫn điện giữa nguồn (Source) và máng (Drain). MOSFET loại tăng kênh P (P-channel Enhancement-mode MOSFET) hoạt động tương tự, nhưng sử dụng điện áp âm để tạo kênh dẫn điện. Vì vậy, MOSFET loại tăng kênh P không có sẵn kênh P. MOSFET loại hiếm kênh (Depletion-mode MOSFET), ngược lại, có một kênh dẫn điện sẵn có giữa nguồn và máng ngay cả khi VGS = 0.

Do đó, MOSFET loại tăng kênh P có cấu tạo khác biệt so với MOSFET loại hiếm kênh P ở chỗ nó không có sẵn kênh P.

Điện trở giữa hai cực B1 và B2 của UJT (Unijunction Transistor - Transistor đơn tiếp giáp) thường nằm trong khoảng từ 1KΩ đến 30KΩ. Giá trị này phụ thuộc vào loại UJT cụ thể, nhưng đây là phạm vi điển hình.

Nguồn cấp điện có thể là nguồn dòng hoặc nguồn áp, tùy thuộc vào thiết kế và mục đích sử dụng. Do đó, cả hai lựa chọn 'Nguồn dòng' và 'Nguồn áp' đều có thể đúng trong các trường hợp khác nhau. Vì vậy, đáp án đúng là 'Câu a và b đúng'.

Mạch khuếch đại hạng A là mạch khuếch đại mà transistor dẫn điện trong toàn bộ chu kỳ tín hiệu vào (360 độ). Điều này có nghĩa là nó khuếch đại toàn bộ sóng tín hiệu vào.

Hình vẽ cho thấy IC được đóng gói theo kiểu DIP (Dual In-line Package). Đếm số chân (pin) ở cả hai hàng của IC, ta thấy mỗi hàng có 8 chân, vậy tổng cộng là 16 chân. Do đó, IC được đóng gói dạng DIP 16.