Diode cảm quang là diode:

Để transistor NPN dẫn (hoạt động ở chế độ khuếch đại), điện áp giữa các cực phải thỏa mãn điều kiện: V_C > V_B > V_E. Điều này có nghĩa là điện áp ở cực Collector (C) phải lớn hơn điện áp ở cực Base (B), và điện áp ở cực Base (B) phải lớn hơn điện áp ở cực Emitter (E).

Điểm làm việc tĩnh (Q-point) của JFET được xác định bởi ba tham số: điện áp cổng-nguồn (V_GS), dòng máng (I_D), và điện áp máng-nguồn (V_DS). Các tham số này xác định trạng thái hoạt động của JFET trong mạch.

MOSFET tăng kênh (Enhancement-mode MOSFET) hoạt động dựa trên việc tạo kênh dẫn điện khi điện áp cổng (VGS) vượt quá một ngưỡng nhất định (VT). Ở trạng thái ban đầu, không có kênh dẫn điện giữa nguồn (Source) và máng (Drain). MOSFET loại tăng kênh P (P-channel Enhancement-mode MOSFET) hoạt động tương tự, nhưng sử dụng điện áp âm để tạo kênh dẫn điện. Vì vậy, MOSFET loại tăng kênh P không có sẵn kênh P. MOSFET loại hiếm kênh (Depletion-mode MOSFET), ngược lại, có một kênh dẫn điện sẵn có giữa nguồn và máng ngay cả khi VGS = 0.

Do đó, MOSFET loại tăng kênh P có cấu tạo khác biệt so với MOSFET loại hiếm kênh P ở chỗ nó không có sẵn kênh P.

Điện trở giữa hai cực B1 và B2 của UJT (Unijunction Transistor - Transistor đơn tiếp giáp) thường nằm trong khoảng từ 1KΩ đến 30KΩ. Giá trị này phụ thuộc vào loại UJT cụ thể, nhưng đây là phạm vi điển hình.

Nguồn cấp điện có thể là nguồn dòng hoặc nguồn áp, tùy thuộc vào thiết kế và mục đích sử dụng. Do đó, cả hai lựa chọn 'Nguồn dòng' và 'Nguồn áp' đều có thể đúng trong các trường hợp khác nhau. Vì vậy, đáp án đúng là 'Câu a và b đúng'.