Phát biểu nào sau đây đúng về đặc tính của transistor (BJT) công suất (D)
A.
Độ lợi dòng nhỏ còn tùy thuộc vào dòng thu và nhiệt độ, dòng thu càng lớn độ lợi càng nhỏ
B.
Độ lợi dòng lớn còn tùy thuộc vào dòng thu và nhiệt độ, dòng thu càng lớn độ lợi càng lớn
C.
Ngoài hiện tượng hủy thác do phân cực nghịch còn có hiện tượng hủy thác thứ cấp do transistor hoạt động ở điện thế và dòng lớn
D.
Các câu A và C đều đúng
Trả lời:
Đáp án đúng: D
Transistor (BJT) công suất có những đặc tính quan trọng sau:
* **Độ lợi dòng nhỏ và phụ thuộc vào dòng thu và nhiệt độ:** Độ lợi dòng (hFE hoặc β) của transistor công suất không phải là một hằng số. Nó thay đổi theo dòng thu (IC) và nhiệt độ. Thông thường, khi dòng thu tăng, độ lợi dòng có xu hướng giảm. Nhiệt độ tăng cũng có thể ảnh hưởng đến độ lợi dòng, thường làm giảm độ lợi ở dòng thu cao. Do đó, phát biểu A đúng.
* **Hiện tượng hủy thác:** Transistor công suất có thể bị hỏng do hiện tượng hủy thác (avalanche breakdown) khi điện áp ngược đặt vào cực collector-base vượt quá giới hạn cho phép. Ngoài ra, ở transistor công suất lớn còn có hiện tượng hủy thác thứ cấp do hoạt động ở dòng và áp lớn.
Vì vậy, phương án D (Các câu A và C đều đúng) là đáp án chính xác.
Câu hỏi liên quan
Lời giải:
Đáp án đúng: B
Khi transistor công suất (BJT) ngưng dẫn, dòng điện chạy qua transistor rất nhỏ, được gọi là dòng rỉ (Ir). Điện áp trên transistor khi nó ngưng dẫn xấp xỉ bằng điện áp nguồn VCC. Do đó, công suất tiêu thụ khi transistor ngưng dẫn (POFF) được tính bằng công thức POFF = VCCIr. Các phương án khác không phản ánh đúng mối quan hệ này hoặc bao gồm các thành phần không liên quan đến trạng thái ngưng dẫn của transistor.
Lời giải:
Đáp án đúng: B
Công suất tổn hao khi MOSFET dẫn (ON) được tính bằng công thức P = I^2 * R, trong đó I là dòng điện và R là điện trở. Trong trường hợp MOSFET, công suất tổn hao khi dẫn là do dòng điện ID chạy qua điện trở kênh dẫn RDSon trong khoảng thời gian MOSFET ở trạng thái dẫn (ton). Vì vậy, công thức chính xác là P_ON = I_D^2 * R_DSon * (t_on / T), trong đó T là chu kỳ.
Lời giải:
Đáp án đúng: D
Công suất tổn hao khi MOSFET ngưng dẫn (tắt) là do điện áp VDSmax và dòng điện IDR tồn tại trong thời gian tắt (toff) so với chu kỳ T. Vì vậy, công thức tính là POFF = VDSmaxIDR * (toff/T).
Lời giải:
Đáp án đúng: D
Triac là một linh kiện bán dẫn ba cực, có khả năng dẫn dòng điện theo cả hai chiều khi được kích hoạt. Có bốn chế độ kích dẫn của Triac, tương ứng với các tổ hợp cực tính của điện áp giữa các cực MT2 và Gate so với MT1. Bốn cách kích dẫn này là:
1. MT2 dương, Gate dương (MT2+, G+)
2. MT2 dương, Gate âm (MT2+, G-)
3. MT2 âm, Gate dương (MT2-, G+)
4. MT2 âm, Gate âm (MT2-, G-)
Do đó, đáp án đúng là D.
1. MT2 dương, Gate dương (MT2+, G+)
2. MT2 dương, Gate âm (MT2+, G-)
3. MT2 âm, Gate dương (MT2-, G+)
4. MT2 âm, Gate âm (MT2-, G-)
Do đó, đáp án đúng là D.
Lời giải:
Đáp án đúng: A
Triac có thể được kích dẫn bằng cả dòng điện dương và dòng điện âm ở cả hai cực tính (dương hoặc âm) của điện áp đặt vào. Tuy nhiên, độ nhạy kích dẫn của triac thay đổi tùy thuộc vào cực tính của dòng điện kích và điện áp. Thông thường, triac dễ kích dẫn hơn khi dòng điện kích và điện áp có cùng cực tính (dòng dương khi điện áp dương, dòng âm khi điện áp âm). Do đó, phương án A là đúng và thuận lợi nhất cho việc kích dẫn triac.
Lời giải:
Bạn cần đăng ký gói VIP để làm bài, xem đáp án và lời giải chi tiết không giới hạn. Nâng cấp VIP
Lời giải:
Bạn cần đăng ký gói VIP để làm bài, xem đáp án và lời giải chi tiết không giới hạn. Nâng cấp VIP
Lời giải:
Bạn cần đăng ký gói VIP để làm bài, xem đáp án và lời giải chi tiết không giới hạn. Nâng cấp VIP
Lời giải:
Bạn cần đăng ký gói VIP để làm bài, xem đáp án và lời giải chi tiết không giới hạn. Nâng cấp VIP
Lời giải:
Bạn cần đăng ký gói VIP để làm bài, xem đáp án và lời giải chi tiết không giới hạn. Nâng cấp VIP
