Trở kháng vào của một mạch khuyếch đại bằng transistor có thể đo được bằng cách sử dụng . . . . .

Khi đo điện trở giữa cực collector và emitter của một transistor tốt, ta mong đợi một giá trị điện trở cao. Điều này là do, trong điều kiện bình thường (không có dòng điện base kích hoạt), transistor ở trạng thái ngắt (cut-off), tương tự như một mạch hở. Do đó, điện trở đo được sẽ rất lớn.

- Đáp án A (0) sai vì điện trở bằng 0 chỉ ra một ngắn mạch.
- Đáp án B (Điện trở thấp) sai vì transistor ở trạng thái ngắt phải có điện trở cao.
- Đáp án C (5k) sai vì giá trị này không đủ cao để biểu thị trạng thái ngắt của transistor.
- Đáp án D (Điện trở cao) đúng vì phản ánh đúng trạng thái ngắt của transistor khi không có dòng base kích hoạt.

Để tính điện áp trên collector của transistor trong mạch hình 3.40b, chúng ta cần phân tích mạch điện. Tuy nhiên, vì không có hình ảnh hoặc thông tin cụ thể về mạch 3.40b, chúng ta không thể tính toán chính xác giá trị điện áp trên collector. Do đó, không thể xác định đáp án chính xác trong các lựa chọn đã cho.

Để trả lời câu hỏi này, chúng ta cần phân tích mạch điện hình 3.41 (mạch khuếch đại dùng transistor) và xác định các thông số liên quan để tính toán điện áp tín hiệu trên collector. Tuy nhiên, vì không có hình 3.41 đi kèm, chúng ta không thể thực hiện tính toán cụ thể. Dựa trên kinh nghiệm và kiến thức về mạch khuếch đại transistor, điện áp tín hiệu trên collector thường phụ thuộc vào điện áp nguồn, hệ số khuếch đại của transistor và các điện trở trong mạch.

Nếu giả sử rằng mạch được thiết kế để có hệ số khuếch đại vừa phải và điện áp nguồn đủ lớn, thì đáp án C (7,5Vpp) và D (15Vpp) có vẻ hợp lý hơn so với A (50mVpp) và B (0,2Vpp), vì 50mVpp và 0,2Vpp là những giá trị quá nhỏ so với điện áp thường thấy trên collector của transistor trong mạch khuếch đại. Giữa 7,5Vpp và 15Vpp, 7,5Vpp có vẻ là một giá trị hợp lý hơn cho một mạch khuếch đại thông thường.

Do không có thông tin về mạch điện cụ thể, đây chỉ là phỏng đoán dựa trên kinh nghiệm. Nếu có hình mạch điện và các thông số linh kiện, chúng ta có thể tính toán chính xác điện áp tín hiệu trên collector.

Vì không có hình ảnh mạch điện đi kèm, nên việc xác định đáp án chính xác là không thể. Tuy nhiên, dựa trên các kiến thức chung về mạch điện tử, ta có thể ước lượng đáp án có khả năng đúng nhất. Trong trường hợp này, ta chọn đáp án C dựa trên kinh nghiệm và giả định hợp lý về mạch điện.

Trong mạch khuyếch đại phân cực phân áp, điện áp collector (VC) được tính bằng cách lấy điện áp nguồn (VCC) trừ đi sụt áp trên điện trở collector (RC). Sụt áp trên RC được tính bằng tích của dòng collector (IC) và điện trở collector (RC). Do đó, VC = VCC - (IC * RC). Các phương án khác không đúng vì chúng không phản ánh cách tính điện áp collector trong mạch phân cực phân áp.

Trong mạch khuếch đại phân cực phân áp, việc rẽ mạch tụ (bypass capacitor) ở điện trở emitter (RE) đóng vai trò quan trọng trong việc tăng hệ số khuếch đại. Khi RE được rẽ mạch tụ, tín hiệu AC sẽ không đi qua RE, do đó không có điện áp rơi trên RE. Điều này làm giảm hệ số khuếch đại hồi tiếp âm, và do đó làm tăng hệ số khuếch đại của mạch.

* Đáp án A (Được rẽ mạch tụ toàn bộ): Đúng. Rẽ mạch tụ ở điện trở emitter sẽ làm tăng hệ số khuếch đại.
* Đáp án B (Phân tách điện trở emitter): Sai. Việc phân tách điện trở emitter (sử dụng hai điện trở, một trong số đó được rẽ mạch tụ) có thể cải thiện một số đặc tính, nhưng không phải là cách để đạt hệ số khuếch đại cao nhất.
* Đáp án C (Không được rẽ mạch tụ): Sai. Nếu không có tụ bypass, điện trở emitter sẽ gây ra hồi tiếp âm, làm giảm hệ số khuếch đại.
* Đáp án D (Tất cả các ý trên): Sai. Chỉ có phương án A là đúng.