Điện áp trên collector của transistor ở mạch hình 3.40b là bao nhiêu?

Để trả lời câu hỏi này, chúng ta cần phân tích mạch điện hình 3.41 (mạch khuếch đại dùng transistor) và xác định các thông số liên quan để tính toán điện áp tín hiệu trên collector. Tuy nhiên, vì không có hình 3.41 đi kèm, chúng ta không thể thực hiện tính toán cụ thể. Dựa trên kinh nghiệm và kiến thức về mạch khuếch đại transistor, điện áp tín hiệu trên collector thường phụ thuộc vào điện áp nguồn, hệ số khuếch đại của transistor và các điện trở trong mạch.

Nếu giả sử rằng mạch được thiết kế để có hệ số khuếch đại vừa phải và điện áp nguồn đủ lớn, thì đáp án C (7,5Vpp) và D (15Vpp) có vẻ hợp lý hơn so với A (50mVpp) và B (0,2Vpp), vì 50mVpp và 0,2Vpp là những giá trị quá nhỏ so với điện áp thường thấy trên collector của transistor trong mạch khuếch đại. Giữa 7,5Vpp và 15Vpp, 7,5Vpp có vẻ là một giá trị hợp lý hơn cho một mạch khuếch đại thông thường.

Do không có thông tin về mạch điện cụ thể, đây chỉ là phỏng đoán dựa trên kinh nghiệm. Nếu có hình mạch điện và các thông số linh kiện, chúng ta có thể tính toán chính xác điện áp tín hiệu trên collector.

Vì không có hình ảnh mạch điện đi kèm, nên việc xác định đáp án chính xác là không thể. Tuy nhiên, dựa trên các kiến thức chung về mạch điện tử, ta có thể ước lượng đáp án có khả năng đúng nhất. Trong trường hợp này, ta chọn đáp án C dựa trên kinh nghiệm và giả định hợp lý về mạch điện.

Trong mạch khuyếch đại phân cực phân áp, điện áp collector (VC) được tính bằng cách lấy điện áp nguồn (VCC) trừ đi sụt áp trên điện trở collector (RC). Sụt áp trên RC được tính bằng tích của dòng collector (IC) và điện trở collector (RC). Do đó, VC = VCC - (IC * RC). Các phương án khác không đúng vì chúng không phản ánh cách tính điện áp collector trong mạch phân cực phân áp.

Trong mạch khuếch đại phân cực phân áp, việc rẽ mạch tụ (bypass capacitor) ở điện trở emitter (RE) đóng vai trò quan trọng trong việc tăng hệ số khuếch đại. Khi RE được rẽ mạch tụ, tín hiệu AC sẽ không đi qua RE, do đó không có điện áp rơi trên RE. Điều này làm giảm hệ số khuếch đại hồi tiếp âm, và do đó làm tăng hệ số khuếch đại của mạch.

* Đáp án A (Được rẽ mạch tụ toàn bộ): Đúng. Rẽ mạch tụ ở điện trở emitter sẽ làm tăng hệ số khuếch đại.
* Đáp án B (Phân tách điện trở emitter): Sai. Việc phân tách điện trở emitter (sử dụng hai điện trở, một trong số đó được rẽ mạch tụ) có thể cải thiện một số đặc tính, nhưng không phải là cách để đạt hệ số khuếch đại cao nhất.
* Đáp án C (Không được rẽ mạch tụ): Sai. Nếu không có tụ bypass, điện trở emitter sẽ gây ra hồi tiếp âm, làm giảm hệ số khuếch đại.
* Đáp án D (Tất cả các ý trên): Sai. Chỉ có phương án A là đúng.

Trong các cấu hình khuếch đại BJT, cấu hình Emitter chung (CE) thường được sử dụng cho mục đích khuếch đại công suất vì nó cung cấp cả hệ số khuếch đại điện áp và dòng điện cao, dẫn đến khuếch đại công suất đáng kể. Cấu hình Base chung (CB) có hệ số khuếch đại điện áp cao nhưng hệ số khuếch đại dòng điện thấp, trong khi cấu hình Collector chung (CC), còn được gọi là bộ lặp Emitter, có hệ số khuếch đại dòng điện cao nhưng hệ số khuếch đại điện áp gần bằng 1, do đó không phù hợp cho khuếch đại công suất.

Cấu hình base chung (Common Base - CB) là một cấu hình khuếch đại transistor trong đó cực base được nối đất chung (common). Đặc điểm chính của cấu hình này là:

* Trở kháng vào thấp: Do tín hiệu vào được đưa vào cực emitter, mà điện trở emitter thường nhỏ.
* Trở kháng ra cao: Do tín hiệu ra được lấy ra ở cực collector, mà điện trở collector thường lớn.

Vì vậy, đáp án C là chính xác nhất.