Điều kiện để transistor lưỡng cực dẫn khuếch đại khi và chỉ khi:

Tiếp giáp phát–gốc phân cực thuận

Tiếp giáp phát–gốc phân cực nghịch

Tiếp giáp góp–phát phân cựcthuận

Tất cả đều sai

Trả lời:

Đáp án đúng: A

Để transistor lưỡng cực hoạt động ở chế độ khuếch đại (active region), cần thỏa mãn hai điều kiện sau: 1. Tiếp giáp phát-gốc (Emitter-Base junction) phải được phân cực thuận. 2. Tiếp giáp góp-gốc (Collector-Base junction) phải được phân cực ngược. Như vậy, đáp án đúng nhất trong các lựa chọn là tiếp giáp phát-gốc phân cực thuận. Các lựa chọn khác không chính xác vì: * Tiếp giáp phát–gốc phân cực nghịch sẽ làm transistor ngưng dẫn. * Tiếp giáp góp–phát phân cực thuận không phải là điều kiện cần để transistor khuếch đại.

400+ câu hỏi trắc nghiệm môn Linh kiện điện tử có đáp án - Phần 1

Ôn thi với 400+ câu hỏi trắc nghiệm môn Linh kiện điện tử có đáp án dưới đây, nhằm giúp các bạn sinh viên chuyên ngành Kỹ thuật hệ thống lại kiến thức, chuẩn bị cho kì thi sắp diễn ra.

50 câu hỏi 60 phút

Bắt đầu thi

Câu hỏi liên quan

Câu 42:

Transistor trong sơ đồ được mắc theo cách nào?

Lời giải:

Đáp án đúng: A

Trong sơ đồ mạch điện trên, ta thấy tín hiệu vào được đưa vào cực B (Base) và tín hiệu ra được lấy ra ở cực C (Collector). Cực E (Emitter) được nối mass thông qua điện trở. Do đó, transistor được mắc theo cấu hình khuếch đại emitter chung (CE) hay còn gọi là phát chung.

Câu 43:

DIAC là linh kiện điện tử có:

Lời giải:

Đáp án đúng: B

DIAC (Diode for Alternating Current) là một diode hai cực hai hướng, có cấu trúc tương đương với hai diode Zener mắc nối tiếp ngược chiều nhau. Về cơ bản, nó có cấu trúc bán dẫn gồm 3 lớp (tương tự như một transistor không có cực gốc), nhưng hoạt động như một linh kiện hai cực. Khi điện áp đặt vào vượt quá điện áp đánh thủng (breakover voltage), DIAC sẽ dẫn điện theo cả hai chiều. Vì vậy, đáp án chính xác nhất là DIAC có 3 lớp bán dẫn.

Câu 44:

Hãy xác định điện áp U_CE trong sơ đồ mạch điện sau? Cho dòng điện chạy qua điện trở R_C là 10mA.

Lời giải:

Đáp án đúng: C

Điện áp U_CE là điện áp giữa cực C và cực E của transistor. Ta có công thức: U_CE = V_CC - I_C * R_C. Theo đề bài, V_CC = 12V, I_C = 10mA = 0.01A, R_C = 680Ω. Vậy, U_CE = 12V - 0.01A * 680Ω = 12V - 6.8V = 5.2V. Giá trị gần nhất là 5.3V

Câu 45:

Các hạt dẫn trong JFET kênh P là:

Lời giải:

Đáp án đúng: C

JFET kênh P là một loại transistor trường, trong đó dòng điện chủ yếu được dẫn bởi các lỗ trống (holes). Các lỗ trống là các hạt mang điện tích dương. Vì vậy, đáp án đúng là "Các lỗ trống". Các điện tử tự do là hạt dẫn điện trong JFET kênh N.

Câu 46:

Các hạt dẫn trong JFET kênh N là:

Lời giải:

Đáp án đúng: B

JFET (Junction Field-Effect Transistor) là transistor trường hiệu ứng cổng tiếp giáp. Trong JFET kênh N, kênh dẫn điện được tạo thành từ vật liệu bán dẫn loại N. Vật liệu loại N có các điện tử tự do là hạt dẫn điện chính. Do đó, các hạt dẫn trong JFET kênh N là các điện tử tự do.

Câu 47:

Dòng điện nhỏ nhất mà nó có thể bật SCR dẫn điện gọi là:

Lời giải: