DIAC là linh kiện điện tử có:

JFET (Junction Field-Effect Transistor) là transistor trường hiệu ứng cổng tiếp giáp. Trong JFET kênh N, kênh dẫn điện được tạo thành từ vật liệu bán dẫn loại N. Vật liệu loại N có các điện tử tự do là hạt dẫn điện chính. Do đó, các hạt dẫn trong JFET kênh N là các điện tử tự do.

Dòng điện nhỏ nhất cần thiết để SCR (Silicon Controlled Rectifier) duy trì trạng thái dẫn điện sau khi đã được kích hoạt được gọi là dòng điện duy trì (I_H). Khi dòng điện qua SCR giảm xuống dưới mức này, SCR sẽ tắt.

• Dòng điện đánh thủng là dòng điện xảy ra khi điện áp ngược đặt vào SCR vượt quá giá trị đánh thủng, gây ra sự cố và dẫn điện không kiểm soát.
• Dòng điện kích thích I_G là dòng điện cần thiết để kích hoạt SCR, đưa nó từ trạng thái tắt sang trạng thái dẫn điện.
• Dòng điện ngược bão hòa là dòng điện nhỏ chảy qua SCR khi nó ở trạng thái khóa (tắt) và có điện áp ngược đặt vào.