Trong hoạt động thông thường của transistor NPN, phần lớn điện tử di chuyển vào cực emitter

Ra khỏi transistor thông qua cực collector

Sẽ được hấp thụ bởi transistor

Ra khỏi transistor thông qua cực base

Không phải các trường hợp trên

Trả lời:

Đáp án đúng: A

Trong transistor NPN hoạt động ở chế độ thông thường (active mode), emitter phát ra các điện tử vào vùng base. Do vùng base rất mỏng và có nồng độ pha tạp thấp, phần lớn các điện tử này sẽ vượt qua vùng base và bị hút về collector do điện áp collector dương hơn base. Chỉ một lượng nhỏ các điện tử sẽ kết hợp với các lỗ trống trong vùng base và tạo thành dòng base nhỏ. Do đó, đáp án chính xác là 'Ra khỏi transistor thông qua cực collector'.

250 câu trắc nghiệm Kỹ thuật điện có đáp án - Phần 4

Bộ câu hỏi trắc nghiệm ôn thi Kỹ thuật điện có đáp án giúp các bạn ôn tập và củng cố thêm kiến thức nhằm đạt kết quả cao nhất cho kì thi sắp đến.

50 câu hỏi 60 phút

Bắt đầu thi

Câu hỏi liên quan

Câu 15:

Phương trình nào biểu diễn quan hệ đúng giữa các dòng base, emitter, và collector?

Lời giải:

Đáp án đúng: C

Trong một transistor Bipolar Junction Transistor (BJT), dòng điện emitter (IE) luôn bằng tổng của dòng điện base (IB) và dòng điện collector (IC). Điều này xuất phát từ định luật Kirchhoff về dòng điện, nói rằng tổng dòng điện đi vào một nút phải bằng tổng dòng điện đi ra khỏi nút đó. Trong transistor, emitter là nơi dòng điện đi vào hoặc đi ra (tùy thuộc vào loại transistor là NPN hay PNP), và dòng điện này được chia thành hai phần: một phần nhỏ đi vào base để điều khiển transistor, và phần còn lại đi vào collector. Do đó, phương trình IE = IB + IC biểu diễn mối quan hệ chính xác giữa ba dòng điện này.

Câu 16:

Trở kháng ra của một mạch khuyếch đại bằng transistor có thể đo được bằng cách sử dụng . . . . . .

Lời giải:

Đáp án đúng: D

Để đo trở kháng ra của một mạch khuếch đại transistor, người ta thường sử dụng phương pháp điện thế kế đặt vào vị trí của điện trở tải. Phương pháp này dựa trên việc thay đổi điện trở tải và quan sát sự thay đổi của điện áp ra, từ đó tính toán được trở kháng ra. Các phương pháp khác không phù hợp: đồng hồ đo điện trở chỉ đo điện trở tĩnh, đồng hồ đo trở kháng thường dùng cho các linh kiện riêng lẻ, và máy vẽ đặc tuyến dùng để khảo sát đặc tính của transistor, không trực tiếp đo trở kháng ra.

Câu 17:

Khi kiểm tra một BJT tốt bằng đồng hồ đo điện trở, thì BJT sẽ biểu hiện . . . . . .

Lời giải:

Đáp án đúng: A

Khi kiểm tra một BJT (Transistor lưỡng cực) bằng đồng hồ đo điện trở, chúng ta đang kiểm tra tính chất của các diode được hình thành bởi các tiếp giáp base-emitter và base-collector. Một BJT tốt sẽ có điện trở thấp khi đo theo chiều thuận (forward bias) và điện trở cao khi đo theo chiều nghịch (reverse bias) trên cả hai tiếp giáp này. Do đó, BJT sẽ biểu hiện tỷ số điện trở thuận - nghịch cao trên cả hai tiếp giáp emitter-base và collector-base.

Câu 18:

Giá trị điện áp trên collector của transistor ở hình 3.40a, là bao nhiêu?

Lời giải:

Đáp án đúng: A

Để xác định điện áp trên collector của transistor, cần phân tích mạch điện cụ thể (hình 3.40a). Tuy nhiên, vì không có thông tin chi tiết về mạch (điện trở, nguồn áp, loại transistor...), ta không thể tính toán chính xác giá trị điện áp. Do đó, không có đáp án chính xác trong các lựa chọn đã cho. Thông thường, điện áp collector sẽ nằm trong khoảng giữa điện áp nguồn và 0V, tùy thuộc vào trạng thái hoạt động của transistor.

Câu 19:

Điện áp DC trên cực base của transistor ở mạch hình 3.41, là bao nhiêu ?

Lời giải:

Đáp án đúng: B

Để tìm điện áp DC trên cực base của transistor trong mạch hình 3.41, chúng ta cần phân tích mạch điện (mạch phân áp). Điện áp trên cực base (Vb) được xác định bởi điện trở R1 và R2 tạo thành mạch cầu phân áp. Nếu điện áp nguồn là Vcc (giả sử 15V) và R1 nối từ Vcc xuống Base, R2 nối từ Base xuống mass (GND). Ta có công thức: Vb = Vcc * R2 / (R1 + R2). Tuy nhiên, do không có thông tin cụ thể về giá trị của R1 và R2, cũng như sơ đồ mạch điện cụ thể, ta chỉ có thể chọn đáp án dựa trên kinh nghiệm và hiểu biết chung về mạch transistor. Thông thường, điện áp base của transistor BJT trong mạch phân áp sẽ vào khoảng 0.7V đối với transistor silicon khi nó bắt đầu dẫn điện (Vbe ~ 0.7V). Điện áp 7.5V có thể xảy ra, nhưng cần thông tin chi tiết hơn về mạch. Vì vậy, 0.7V là giá trị hợp lý nhất.

Câu 20:

Trong mạch phân cực phân áp, tại sao điện áp tại điểm nối của Rb1và Rb2được xem là độc lập với dòng base của transistor ?

Lời giải: