Trở kháng ra của một mạch khuyếch đại bằng transistor có thể đo được bằng cách sử dụng . . . . . . 

Trong mạch phân cực phân áp, điện áp tại điểm nối giữa Rb1 và Rb2 được thiết kế sao cho dòng điện chạy qua Rb1 và Rb2 lớn hơn rất nhiều so với dòng base (Ib) của transistor. Điều này đảm bảo rằng sự thay đổi của dòng base (Ib) sẽ không ảnh hưởng đáng kể đến điện áp tại điểm nối, do đó điện áp tại đây được xem là tương đối ổn định và độc lập với dòng base. Các lựa chọn khác không giải thích đúng nguyên lý này. Lựa chọn 1 sai vì dòng base vẫn chảy vào mạch, dù rất nhỏ. Lựa chọn 3 sai vì dòng emitter có liên quan, nhưng lý do chính là do dòng qua Rb1 và Rb2 lớn hơn nhiều so với dòng base. Lựa chọn 4 sai vì tụ nối tầng không liên quan đến phân cực phân áp DC.

Đáp án: D. Cả B và C

Giải thích: Mạch phân cực phân áp được thiết kế để điểm làm việc ít phụ thuộc vào β\beta. Tuy nhiên, để đạt được điều này, dòng qua cầu phân áp phải tương đối lớn, dẫn đến:

B: Trở kháng vào/ra liên quan đến mạch phân cực bị giảm.

C: Làm suy giảm hệ số khuếch đại điện áp do ảnh hưởng của mạng phân áp.

Trong mạch khuếch đại emitter chung, trở kháng ra (output impedance) xấp xỉ bằng điện trở collector (Rc) mắc song song với điện trở tải (RL) nếu có. Điều này xuất phát từ việc dòng collector thay đổi do tín hiệu đầu vào, và sự thay đổi này chủ yếu bị giới hạn bởi Rc và RL. Vì vậy, đáp án chính xác là điện trở collector mắc song song với điện trở tải.

Đáp án: D. Tất cả các ý trên

Giải thích: Cả 3 cấu hình BJT đều có khả năng khuếch đại công suất, nhưng đặc tính khác nhau:

Emitter chung (CE): khuếch đại dòng và điện áp → khuếch đại công suất tốt.

Base chung (CB): khuếch đại điện áp, dòng xấp xỉ 1 → vẫn có thể khuếch đại công suất.

Collector chung (CC): khuếch đại dòng, điện áp gần bằng 1 → vẫn có khuếch đại công suất