Theo sơ đồ tương đương của mạch khuếch đại hình, trở kháng RA của mạch là: (giả thiết r_ce vô cùng lớn):

                                                     

Để tính hệ số khuếch đại vi sai của mạch, ta cần xác định các thông số của mạch và áp dụng công thức phù hợp. Dựa vào hình vẽ (giả sử hình vẽ cung cấp đủ thông tin về các điện trở và transistor), ta sẽ phân tích mạch khuếch đại vi sai. Tuy nhiên, do không có thông tin cụ thể về giá trị các điện trở (R1, R2, RC) và các thông số của transistor (ví dụ: gm - độ dẫn truyền), chúng ta không thể tính toán chính xác hệ số khuếch đại vi sai Ad. Thông thường, công thức tính hệ số khuếch đại vi sai sẽ có dạng Ad = gm * RC, hoặc một biểu thức phức tạp hơn tùy thuộc vào cấu hình mạch cụ thể.

Vì không có đủ thông tin để tính toán, ta không thể xác định đáp án chính xác trong các lựa chọn đã cho. Do đó, đáp án chính xác nhất trong trường hợp này là "Đáp án khác". Tuy nhiên, nếu có thông tin cụ thể về giá trị các điện trở và thông số transistor, ta có thể sử dụng công thức Ad = Vout/Vin để tính hệ số khuếch đại vi sai.

Tuy nhiên, do không có đủ dữ liệu, đáp án chính xác nhất hiện tại là "Đáp án khác".

Trong mạch khuếch đại dùng FET với phân cực tự động (self-bias), điện áp VGS (điện áp giữa cực cổng và cực nguồn) được xác định bởi điện áp rơi trên điện trở nguồn Rs. Dòng điện ID chạy qua điện trở Rs, tạo ra điện áp Rs*ID. Vì cực nguồn được nối trực tiếp xuống đất (0V) hoặc có điện trở nối xuống đất, và cực cổng thường được nối với điện trở lớn về phía điện áp một chiều (VCC) hoặc cũng được giữ ở mức điện áp gần 0V (do điện trở lớn), VGS sẽ có giá trị âm và bằng -Rs*ID.

Mạch trên là mạch khuếch đại dùng transistor FET mắc theo cấu hình nguồn chung (common source).
Công thức tính hệ số khuếch đại điện áp (Av) của mạch nguồn chung là:
Av = -gₘ (Rᴅ // rᴅ)
Trong đó:
- gₘ là hệ số phẩm chất (transconductance) của FET.
- Rᴅ là điện trở tải.
- rᴅ là điện trở ra của FET.
Do đó, trị tuyệt đối của hệ số khuếch đại điện áp là |Av| = gₘ(Rᴅ // rᴅ).