Theo sơ đồ tương đương của mạch khuếch đại hình 7, trở kháng R_A của mạch là: (nếu giả thiết r_ce vô cùng lớn). Với Z_B =βr_e +(1+β)R_E

Trong mạch khuếch đại nhiều tầng, trở kháng vào của toàn bộ mạch được quyết định bởi tầng đầu tiên. Điều này là do tầng đầu tiên là tầng mà tín hiệu đầu vào 'nhìn thấy' đầu tiên. Các tầng tiếp theo sẽ ảnh hưởng đến trở kháng ra của tầng trước đó, nhưng không trực tiếp xác định trở kháng vào của toàn mạch.

Ghép biến áp giữa các tầng khuếch đại có ưu điểm là phối hợp trở kháng tốt, cải thiện hiệu suất và cách ly DC. Tuy nhiên, nhược điểm lớn nhất của nó là kích thước và trọng lượng lớn của biến áp, đặc biệt ở tần số thấp, và đáp ứng tần số không lý tưởng, gây suy giảm tín hiệu ở tần số cao. Do đó, cả hai phương án A và B đều đúng.

Mạch khuếch đại Kaskode là mạch khuếch đại sử dụng hai transistor mắc nối tiếp. Trong cấu hình Kaskode, transistor đầu tiên thường được cấu hình là khuếch đại emitter chung (EC) hoặc source chung (CS), và transistor thứ hai được cấu hình là khuếch đại base chung (BC) hoặc gate chung (CG). Cấu hình này giúp cải thiện đáng kể băng thông và trở kháng đầu ra của mạch so với việc chỉ sử dụng một transistor duy nhất. Như vậy, đáp án A đúng.

Trong mạch khuếch đại vi sai, BJT T3 thường được sử dụng để tạo thành một nguồn dòng. Nguồn dòng này cung cấp một dòng điện ổn định cho mạch, giúp tăng hệ số nén tín hiệu đồng pha (CMRR) và giảm hệ số khuếch đại đồng pha. Vì vậy, T3 đóng vai trò là nguồn dòng, đồng thời ảnh hưởng đến hệ số khuếch đại đồng pha và hệ số nén tín hiệu đồng pha.