ảnh hưởng của hồi tiếp đến trở kháng ra, phát biểu nào sau đây là đúng:
Đáp án đúng: D
Multiple-choice exam paper on Electronic Circuit Technology, covering BJT and FET amplifier fundamentals, biasing, feedback, various amplifier configurations (EC, CC, BC, Darlington, Kaskode, differential), impedance, and gain calculations.
Câu hỏi liên quan
Trong mạch khuếch đại dùng BJT, hệ số β (beta) là hệ số khuếch đại dòng điện của transistor. Nếu β thay đổi, dòng collector (IC) sẽ thay đổi theo công thức IC = β * IB (với IB là dòng base). Sự thay đổi của IC sẽ dẫn đến sự thay đổi của điện áp collector-emitter (VCE) do VCE phụ thuộc vào IC và các điện trở trong mạch. Đồng thời, IE cũng sẽ thay đổi do IE = IC + IB. Vì vậy, cả VCE, IC và IE đều bị ảnh hưởng khi β thay đổi.
.png)
Trong mạch điện, các tụ C1, C2 thường được sử dụng với các mục đích sau: - C1 (tụ thoát AC): Được sử dụng để thoát tín hiệu xoay chiều xuống mass (GND), giúp ổn định điện áp DC tại điểm làm việc và ngăn chặn tín hiệu AC ảnh hưởng đến các phần khác của mạch. - C2 (tụ liên lạc): Được sử dụng để ngăn chặn dòng điện DC đi qua, chỉ cho phép tín hiệu xoay chiều đi qua, giúp ngăn cách tín hiệu xoay chiều với nguồn cung cấp một chiều. Như vậy, các tụ C1, C2 thực hiện các chức năng như ổn định điểm làm việc, thoát hồi tiếp xoay chiều và ngăn cách tín hiệu xoay chiều với nguồn cung cấp một chiều.
Phương án A đúng vì cả diode và transistor đều có các tham số phụ thuộc vào nhiệt độ. Cụ thể, điện áp trên diode giảm khi nhiệt độ tăng và điện áp VBE của transistor cũng giảm khi nhiệt độ tăng.
Phương án B đúng vì đặc tính nhiệt của điện áp B-E (VBE) của transistor và điện áp trên diode (VD) tương tự nhau. Khi nhiệt độ thay đổi, cả hai điện áp này đều thay đổi theo một cách có thể dự đoán được.
Phương án C đúng vì sự thay đổi của VBE và VD có chiều ngược nhau khi nhiệt độ thay đổi. Khi nhiệt độ tăng, VBE giảm, và VD cũng giảm. Tuy nhiên, trong mạch bù nhiệt, diode được mắc sao cho sự thay đổi của VD bù lại sự thay đổi của VBE, giữ cho dòng collector ổn định hơn.
Vì cả A, B và C đều đúng, nên phương án D là đáp án chính xác nhất.
1. Ngắn mạch các tụ điện: Các tụ điện có trở kháng rất nhỏ đối với tín hiệu xoay chiều (XC = 1/(2πfC)). Do đó, trong sơ đồ tương đương xoay chiều, chúng được coi như ngắn mạch để đơn giản hóa mạch.
2. Thiết lập các nguồn cung cấp một chiều về 0V: Các nguồn cung cấp một chiều được coi là nguồn áp lý tưởng, và do đó có trở kháng trong xoay chiều bằng 0. Điều này có nghĩa là chúng được thay thế bằng dây dẫn (nối đất xoay chiều).
Như vậy, cả hai hành động "Ngắn mạch các tụ" và "Thiết lập các nguồn cung cấp một chiều về 0V" đều cần thiết để xây dựng sơ đồ tương đương xoay chiều.
.png)
Để tính hệ số khuếch đại điện áp của mạch khuếch đại BJT, ta sử dụng công thức gần đúng khi r_ce rất lớn (vô cùng): A_v = -β * (R_c / R_e) Trong trường hợp này, không có R_e (điện trở emitter), nên ta coi như R_e = 0. Tuy nhiên, cách tính này không hợp lý trong thực tế vì nó dẫn đến hệ số khuếch đại vô cùng lớn. Trong mạch thực tế, luôn có một điện trở nhỏ ở emitter (r_e) do bản thân transistor tạo ra. Giá trị r_e có thể được tính gần đúng bằng công thức: r_e ≈ V_T / I_C Trong đó V_T là điện áp nhiệt (khoảng 26mV ở nhiệt độ phòng) và I_C là dòng điện collector. Để tính I_C, ta cần xác định điện áp base V_B: V_B ≈ V_CC * (R_B2 / (R_B1 + R_B2)) Vì chỉ có R_B (470KΩ) và không có R_B1, R_B2. Ta giả sử rằng mạch này sử dụng phân cực bằng điện trở base đơn lẻ. Điều này có nghĩa là chúng ta cần tính dòng base I_B trước. Giả sử V_BE ≈ 0.7V, ta có: I_B = (V_CC - V_BE) / R_B = (20 - 0.7) / 470000 ≈ 41.06 μA I_C = β * I_B = 100 * 41.06 * 10^-6 ≈ 4.106 mA r_e ≈ 0.026 / 0.004106 ≈ 6.33 Ω Vậy hệ số khuếch đại điện áp A_v sẽ là: A_v = -R_c / r_e = -2200 / 6.33 ≈ -347.5 Trị tuyệt đối của hệ số khuếch đại điện áp là |A_v| = 347.5
.png)
.png)
.png)
