Mạch khuếch đại ở hình 4 với các thông số cho ở trên (R_B=470KΩ, R_c = 2.2KΩ, V_CC = 20V và β = 100) có trị tuyệt đối của hệ số khuếch đại điện áp là: (nếu r_ce vô cùng lớn)

Để tính hệ số khuếch đại điện áp của mạch khuếch đại BJT, ta sử dụng công thức gần đúng khi r_ce rất lớn (vô cùng): A_v = -β * (R_c / R_e) Trong trường hợp này, không có R_e (điện trở emitter), nên ta coi như R_e = 0. Tuy nhiên, cách tính này không hợp lý trong thực tế vì nó dẫn đến hệ số khuếch đại vô cùng lớn. Trong mạch thực tế, luôn có một điện trở nhỏ ở emitter (r_e) do bản thân transistor tạo ra. Giá trị r_e có thể được tính gần đúng bằng công thức: r_e ≈ V_T / I_C Trong đó V_T là điện áp nhiệt (khoảng 26mV ở nhiệt độ phòng) và I_C là dòng điện collector. Để tính I_C, ta cần xác định điện áp base V_B: V_B ≈ V_CC * (R_B2 / (R_B1 + R_B2)) Vì chỉ có R_B (470KΩ) và không có R_B1, R_B2. Ta giả sử rằng mạch này sử dụng phân cực bằng điện trở base đơn lẻ. Điều này có nghĩa là chúng ta cần tính dòng base I_B trước. Giả sử V_BE ≈ 0.7V, ta có: I_B = (V_CC - V_BE) / R_B = (20 - 0.7) / 470000 ≈ 41.06 μA I_C = β * I_B = 100 * 41.06 * 10^-6 ≈ 4.106 mA r_e ≈ 0.026 / 0.004106 ≈ 6.33 Ω Vậy hệ số khuếch đại điện áp A_v sẽ là: A_v = -R_c / r_e = -2200 / 6.33 ≈ -347.5 Trị tuyệt đối của hệ số khuếch đại điện áp là |A_v| = 347.5