Khi pha thêm một ít Bo vào tinh thể bán dẫn Si ta được:

Điện tử mang điện tích âm, còn lỗ trống là khái niệm dùng để chỉ sự thiếu hụt điện tử, tạo ra một vùng có điện tích dương tương đối. Do đó, điện tử mang điện tích âm còn lỗ trống mang điện tích dương. Vì vậy, các phương án a và b đều không đúng hoàn toàn, dẫn đến phương án d là đáp án chính xác nhất.

Bán dẫn loại N được tạo ra bằng cách pha tạp chất vào bán dẫn thuần khiết (như Si hoặc Ge) bằng các nguyên tố có hóa trị lớn hơn 4 (ví dụ: P, As, Sb). Các nguyên tố này, khi thay thế một số nguyên tử Si hoặc Ge trong mạng tinh thể, sẽ tạo ra các điện tử tự do (vì chúng có nhiều hơn 4 electron hóa trị). Do đó, trong bán dẫn loại N, điện tử là hạt tải đa số (số lượng lớn), còn lỗ trống là hạt tải thiểu số (số lượng ít).

Transistor PNP dẫn khi điện áp ở cực B âm hơn so với cực E. Khi đó, dòng điện sẽ chạy từ E (Emitter) sang C (Collector). Do đó, đa số hạt mang điện (trong trường hợp này là lỗ trống) sẽ di chuyển từ E sang C, và electron sẽ di chuyển theo hướng ngược lại, tức là từ C đến E. Tuy nhiên, câu hỏi lại hỏi về đa số electron, cần phải xem xét chiều dòng điện thực tế. Trong transistor PNP, dòng điện chủ yếu do lỗ trống tạo ra, đi từ E sang C. Vì vậy, mặc dù electron có tham gia, nhưng số lượng lỗ trống lớn hơn nhiều. Câu hỏi này có thể gây nhầm lẫn vì nó tập trung vào electron trong khi transistor PNP hoạt động chủ yếu dựa trên lỗ trống. Tuy nhiên, nếu xét đến sự di chuyển của electron, chúng sẽ di chuyển từ C sang E.

Kiểu mắc CB (Common Base) hay còn gọi là cực gốc chung, có đặc điểm là tín hiệu vào được đưa vào cực E (Emitter) và tín hiệu ra được lấy ra ở cực C (Collector). Trong cấu hình này, điện áp ngõ ra và điện áp ngõ vào biến thiên cùng chiều, tức là cùng pha. Do đó, tín hiệu ngõ ra cùng pha với tín hiệu ngõ vào.