Bán dẫn loại N là:

Transistor PNP dẫn khi điện áp ở cực B âm hơn so với cực E. Khi đó, dòng điện sẽ chạy từ E (Emitter) sang C (Collector). Do đó, đa số hạt mang điện (trong trường hợp này là lỗ trống) sẽ di chuyển từ E sang C, và electron sẽ di chuyển theo hướng ngược lại, tức là từ C đến E. Tuy nhiên, câu hỏi lại hỏi về đa số electron, cần phải xem xét chiều dòng điện thực tế. Trong transistor PNP, dòng điện chủ yếu do lỗ trống tạo ra, đi từ E sang C. Vì vậy, mặc dù electron có tham gia, nhưng số lượng lỗ trống lớn hơn nhiều. Câu hỏi này có thể gây nhầm lẫn vì nó tập trung vào electron trong khi transistor PNP hoạt động chủ yếu dựa trên lỗ trống. Tuy nhiên, nếu xét đến sự di chuyển của electron, chúng sẽ di chuyển từ C sang E.

Điểm hoạt động tĩnh (Q-point) của BJT (Bipolar Junction Transistor) được xác định bởi dòng điện collector (I_C), dòng điện base (I_B), và điện áp collector-emitter (V_CE). Các thông số này xác định trạng thái hoạt động của transistor trong mạch khuếch đại. Các lựa chọn khác bao gồm các tham số không phù hợp hoặc không đầy đủ để xác định điểm Q.

Trong MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor), hiệu điện thế giữa cực thoát (Drain) và cực nguồn (Source) được ký hiệu là V_DS. Các ký hiệu khác có ý nghĩa khác: V_GS là hiệu điện thế giữa cực cổng (Gate) và cực nguồn (Source), V_BE là hiệu điện thế giữa cực bazơ (Base) và cực phát (Emitter) trong BJT (Bipolar Junction Transistor), và V_CE là hiệu điện thế giữa cực góp (Collector) và cực phát (Emitter) trong BJT.