khi BJT mắc theo kiểu CC thì mạch có khả năng cung cấp:

Trong sơ đồ tương đương của mạch, tỷ số giữa dòng điện I_b và dòng điện vào I_in phụ thuộc vào cấu trúc mạch và các thành phần cụ thể. Tuy nhiên, nếu mạch điện có chứa transistor BJT hoạt động ở chế độ khuếch đại, thì hệ số khuếch đại dòng điện β (beta) đóng vai trò quan trọng. β được định nghĩa là tỷ số giữa dòng collector (I_c) và dòng base (I_b): β = I_c / I_b. Trong nhiều trường hợp, dòng vào I_in có thể liên quan đến dòng base I_b thông qua các điện trở và các thành phần khác trong mạch. Tuy nhiên, nếu không có thông tin cụ thể hơn về mạch điện (các giá trị điện trở, cấu trúc mạch, vv.), rất khó để xác định một biểu thức chính xác cho I_b / I_in. Tuy nhiên, xét các đáp án được đưa ra, đáp án 'β' có vẻ hợp lý nhất nếu giả định rằng mạch được thiết kế sao cho dòng vào liên quan trực tiếp đến dòng base thông qua hệ số khuếch đại dòng điện. Các đáp án còn lại chứa các biểu thức phức tạp hơn liên quan đến các điện trở (R, Z) và hệ số khuếch đại (B), và cần thông tin chi tiết hơn về mạch để xác định tính đúng đắn của chúng.

Trở kháng ra của mạch khuếch đại emitter chung (common emitter) với điện trở RC ở mạch collector được xác định chủ yếu bởi giá trị của RC, khi giả thiết rce là vô cùng lớn. Do đó, trở kháng ra xấp xỉ bằng RC. Trong trường hợp này, RC = 2.2KΩ.

Câu hỏi này liên quan đến việc xác định hệ số khuếch đại điện áp của một mạch khuếch đại, có thể là mạch khuếch đại transistor. - Phương án A: R C /r e: Thường là hệ số khuếch đại điện áp của mạch khuếch đại CE (Common Emitter) có điện trở emitter bypass. - Phương án B: R C /R E: Có thể đúng trong một số cấu hình mạch khuếch đại nhất định, đặc biệt khi r e rất nhỏ so với R E . - Phương án C: R C /(R E +r e ): Đây là công thức tổng quát hơn cho hệ số khuếch đại điện áp của mạch khuếch đại CE khi có điện trở R E ở cực emitter và r e là điện trở động của diode BE. - Phương án D: B và C đều đúng: Xem xét các phương án trên, cả B và C đều có thể đúng tùy thuộc vào cấu hình mạch và giá trị của các điện trở. Tuy nhiên, phương án C là công thức tổng quát hơn và bao quát cả trường hợp của phương án B khi r e rất nhỏ so với R E . Vì vậy, phương án D là đáp án chính xác nhất.

Trở kháng vào của mạch khuếch đại BJT được tính xấp xỉ bằng công thức: R_in ≈ R_1 || R_2. Trong đó R_1 và R_2 là các điện trở phân áp. Do đó, R_in ≈ 56kΩ || 39kΩ ≈ 22.8kΩ. Vì không có đáp án nào gần với giá trị này, đáp án đúng là "ngoài các đáp án trên".

Để xác định chế độ tĩnh của mạch, ta cần tính dòng điện collector (I_C) và điện áp collector-emitter (V_CE). Đầu tiên, ta tính điện áp base (V_B) bằng công thức phân áp: V_B = V_CC * (R_2 / (R_1 + R_2)) = 9 * (39 / (56 + 39)) ≈ 3.69V. Tiếp theo, ta tính điện áp emitter (V_E): V_E = V_B - V_BE (với V_BE ≈ 0.7V) = 3.69 - 0.7 ≈ 2.99V. Từ đó, ta tính dòng điện emitter (I_E): I_E = V_E / R_E = 2.99 / 600 ≈ 0.00498A = 4.98mA. Vì β = 100 (lớn), ta có thể xấp xỉ I_C ≈ I_E = 4.98mA. Đáp án gần nhất là 3.6mA. Điện áp V_CE được tính bằng: V_CE = V_CC - I_C * R_C - I_E * R_E ≈ V_CC - I_C * (R_C + R_E) = 9 - 0.0036 * (1000 + 600) = 9 - 0.0036 * 1600 = 9 - 5.76 = 3.24V. Vậy, I_C ≈ 3.6mA và V_CE ≈ 3.2V.