Mạch khuếch đại ở hình 7 với các thông số cho ở trên (R_B = 470KΩ, R_c = 2.2KΩ, R_E = 2.2KΩ, V_CC = 20V và β = 100) có trở kháng ra là: nếu giả thiết r_ce vô cùng lớn

Câu hỏi này liên quan đến việc xác định hệ số khuếch đại điện áp của một mạch khuếch đại, có thể là mạch khuếch đại transistor. - Phương án A: R C /r e: Thường là hệ số khuếch đại điện áp của mạch khuếch đại CE (Common Emitter) có điện trở emitter bypass. - Phương án B: R C /R E: Có thể đúng trong một số cấu hình mạch khuếch đại nhất định, đặc biệt khi r e rất nhỏ so với R E . - Phương án C: R C /(R E +r e ): Đây là công thức tổng quát hơn cho hệ số khuếch đại điện áp của mạch khuếch đại CE khi có điện trở R E ở cực emitter và r e là điện trở động của diode BE. - Phương án D: B và C đều đúng: Xem xét các phương án trên, cả B và C đều có thể đúng tùy thuộc vào cấu hình mạch và giá trị của các điện trở. Tuy nhiên, phương án C là công thức tổng quát hơn và bao quát cả trường hợp của phương án B khi r e rất nhỏ so với R E . Vì vậy, phương án D là đáp án chính xác nhất.

Trở kháng vào của mạch khuếch đại BJT được tính xấp xỉ bằng công thức: R_in ≈ R_1 || R_2. Trong đó R_1 và R_2 là các điện trở phân áp. Do đó, R_in ≈ 56kΩ || 39kΩ ≈ 22.8kΩ. Vì không có đáp án nào gần với giá trị này, đáp án đúng là "ngoài các đáp án trên".

Để xác định chế độ tĩnh của mạch, ta cần tính dòng điện collector (I_C) và điện áp collector-emitter (V_CE). Đầu tiên, ta tính điện áp base (V_B) bằng công thức phân áp: V_B = V_CC * (R_2 / (R_1 + R_2)) = 9 * (39 / (56 + 39)) ≈ 3.69V. Tiếp theo, ta tính điện áp emitter (V_E): V_E = V_B - V_BE (với V_BE ≈ 0.7V) = 3.69 - 0.7 ≈ 2.99V. Từ đó, ta tính dòng điện emitter (I_E): I_E = V_E / R_E = 2.99 / 600 ≈ 0.00498A = 4.98mA. Vì β = 100 (lớn), ta có thể xấp xỉ I_C ≈ I_E = 4.98mA. Đáp án gần nhất là 3.6mA. Điện áp V_CE được tính bằng: V_CE = V_CC - I_C * R_C - I_E * R_E ≈ V_CC - I_C * (R_C + R_E) = 9 - 0.0036 * (1000 + 600) = 9 - 0.0036 * 1600 = 9 - 5.76 = 3.24V. Vậy, I_C ≈ 3.6mA và V_CE ≈ 3.2V.