cấu hình Emitter chung (EC) có đặc điểm:

Trong mạch điện, điện trở RE thường được sử dụng với hai mục đích chính: 1. Ổn định điểm làm việc: RE tạo ra một điện áp rơi phụ thuộc vào dòng điện một chiều chạy qua transistor. Khi dòng điện có xu hướng tăng, điện áp trên RE cũng tăng, làm giảm điện áp base-emitter (VBE) và do đó giảm dòng collector, ổn định điểm làm việc. 2. Hồi tiếp âm dòng điện một chiều: RE tạo ra hồi tiếp âm bằng cách đưa một phần tín hiệu dòng điện một chiều trở lại đầu vào. Điều này giúp giảm độ lợi của mạch ở tần số một chiều và cải thiện độ ổn định, đặc biệt là khi có sự thay đổi về nhiệt độ hoặc tham số transistor. Vì vậy, cả hai chức năng trên đều đúng.

Để xác định kiểu hồi tiếp, ta cần xem xét cách lấy mẫu tín hiệu hồi tiếp và cách đưa tín hiệu hồi tiếp trở lại mạch. Trong trường hợp này (hình 6, mà bạn không cung cấp), chúng ta cần thông tin chi tiết hơn về mạch điện cụ thể. Tuy nhiên, dựa trên các lựa chọn đáp án, có thể suy đoán như sau: * Hồi tiếp nối tiếp điện áp xoay chiều: Thường gặp trong các mạch khuếch đại điện áp, tín hiệu hồi tiếp được lấy mẫu từ điện áp đầu ra và đưa nối tiếp với tín hiệu đầu vào. * Hồi tiếp song song điện áp một chiều: Liên quan đến mạch ổn định điện áp DC, ở đây tín hiệu hồi tiếp được lấy mẫu song song và sử dụng điện áp một chiều. Vì không có hình ảnh mạch điện kèm theo, tôi không thể xác định chắc chắn đáp án đúng. Tuy nhiên, nếu mạch sử dụng tín hiệu xoay chiều và hồi tiếp ảnh hưởng đến điện áp thì "hồi tiếp nối tiếp điện áp xoay chiều" có khả năng là đáp án đúng nhất. Cần xem xét kỹ sơ đồ mạch để có kết luận chính xác. Do không có thông tin mạch điện, tôi xin phép chọn đáp án có vẻ hợp lý nhất dựa trên các lựa chọn đưa ra.

Để giải bài toán này, ta cần phân tích mạch và tìm ra dòng điện IC và điện áp VCE. Vì không có hình 7 được cung cấp, nên ta sẽ giải theo các bước thông thường cho mạch khuếch đại BJT phân cực bằng điện trở. 1. Tính dòng điện IB: Giả sử mạch sử dụng phân cực gốc. Ta có thể tính dòng điện IB như sau: VCC = IB * RB + VBE Trong đó VBE ≈ 0.7V (điện áp rơi trên diode BE). Vậy, IB = (VCC - VBE) / RB = (20V - 0.7V) / 470kΩ ≈ 41.06 μA 2. Tính dòng điện IC: IC = β * IB = 100 * 41.06 μA ≈ 4.106 mA 3. Tính điện áp VCE: VCC = IC * RC + VCE + IE * RE Vì IE ≈ IC, ta có: VCC = IC * RC + VCE + IC * RE VCE = VCC - IC * (RC + RE) = 20V - 4.106mA * (2.2kΩ + 2.2kΩ) = 20V - 4.106mA * 4.4kΩ = 20V - 18.0664V ≈ 1.9336V Tuy nhiên, các đáp án được đưa ra không có đáp án nào phù hợp với kết quả tính toán này. Có thể có sự khác biệt về cấu hình mạch hoặc giá trị linh kiện (ví dụ, phân cực khác, cách mắc khác của RE). Nếu mạch phân cực theo kiểu khác (ví dụ, hồi tiếp emitter), ta cần xem xét thêm điện trở RE. Để giải quyết bài toán này một cách chính xác hơn, chúng ta cần sơ đồ mạch cụ thể (hình 7). Vì không có đáp án nào khớp với kết quả tính toán dựa trên giả định thông thường và thiếu thông tin về cấu trúc mạch cụ thể, đáp án phù hợp nhất là 'Ngoài các đáp án trên'.

Trong sơ đồ tương đương của mạch khuếch đại, trở kháng RA nhìn từ cực A vào mạch sẽ song song giữa RC và RE. Vì vậy đáp án đúng là RC//RE.

Mạch khuếch đại ghép trực tiếp (Direct-coupled amplifier) có ưu điểm chính so với mạch khuếch đại ghép RC là khả năng khuếch đại tín hiệu tần số thấp, thậm chí cả tín hiệu DC (tần số bằng 0). Điều này là do không có tụ điện chặn DC giữa các tầng, cho phép tín hiệu DC hoặc tín hiệu có tần số rất thấp đi qua. Các mạch ghép RC sử dụng tụ điện để ghép các tầng, tụ điện này sẽ chặn tín hiệu DC và suy giảm tín hiệu tần số thấp.