Cấm làm việc trên cao khi có:

Trong BJT, vùng base được thiết kế rất mỏng để giảm thiểu sự tái hợp của các hạt tải điện (electron hoặc lỗ trống) khi chúng di chuyển từ emitter sang collector. Việc tái hợp này làm giảm dòng collector và do đó giảm hệ số khuếch đại của transistor. Đồng thời, vùng base cũng được pha tạp loãng (ít tạp chất) hơn so với vùng emitter để tạo ra điện trường giúp đẩy các hạt tải điện từ emitter sang collector một cách hiệu quả hơn. Do đó, đáp án chính xác là "Được pha tạp loãng".

Khi BJT hoạt động ở chế độ A (chế độ tích cực), tiếp giáp base-emitter (BE) được phân cực thuận (điện áp dương vào base so với emitter đối với transistor NPN, hoặc điện áp âm vào base so với emitter đối với transistor PNP), và tiếp giáp base-collector (BC) được phân cực ngược (điện áp âm vào collector so với base đối với transistor NPN, hoặc điện áp dương vào collector so với base đối với transistor PNP). Điều này cho phép transistor hoạt động như một bộ khuếch đại tuyến tính.