So với vùng collector và emitter, vùng base của BJT là . . . .

Rất dày

Rất mõng

Rất mềm

Rất cứng

Trả lời:

Đáp án đúng: B

Vùng base của BJT (Transistor lưỡng cực) có đặc điểm là rất mỏng so với vùng collector và emitter. Điều này là cần thiết để đảm bảo phần lớn các hạt mang điện (electrons hoặc holes, tùy thuộc vào loại transistor NPN hoặc PNP) từ emitter có thể đi qua vùng base và đến được vùng collector, thay vì tái hợp trong vùng base. Nếu vùng base quá dày, xác suất tái hợp sẽ tăng lên đáng kể, làm giảm hiệu suất của transistor.

250 câu trắc nghiệm Kỹ thuật điện có đáp án - Phần 2

Bộ câu hỏi trắc nghiệm ôn thi Kỹ thuật điện có đáp án giúp các bạn ôn tập và củng cố thêm kiến thức nhằm đạt kết quả cao nhất cho kì thi sắp đến.

50 câu hỏi 60 phút

Bắt đầu thi

Câu hỏi liên quan

Câu 10:

Trong một BJT, dòng base là . . . . . . . . . . . . . . . . . . khi được so với hai dòng collector và emitter..

Lời giải:

Đáp án đúng: A

Trong BJT (Bipolar Junction Transistor), dòng base (Ib) rất nhỏ so với dòng collector (Ic) và dòng emitter (Ie). Điều này là do phần lớn dòng điện đi từ emitter đến collector, chỉ một phần nhỏ của dòng điện đi vào base để điều khiển dòng điện lớn hơn này. Vì vậy, đáp án chính xác là "Nhỏ".

Câu 11:

Một BJT có cấu tạo để vùng base của nó rất mõng và...........

Lời giải:

Đáp án đúng: C

Trong BJT, vùng base được thiết kế rất mỏng để giảm thiểu sự tái hợp của các hạt tải điện (electron hoặc lỗ trống) khi chúng di chuyển từ emitter sang collector. Việc tái hợp này làm giảm dòng collector và do đó giảm hệ số khuếch đại của transistor. Đồng thời, vùng base cũng được pha tạp loãng (ít tạp chất) hơn so với vùng emitter để tạo ra điện trường giúp đẩy các hạt tải điện từ emitter sang collector một cách hiệu quả hơn. Do đó, đáp án chính xác là "Được pha tạp loãng".

Câu 12:

Khi mạch khuyếch đại bằng BJT được phân cực đúng để hoạt động ở chế độ A, thì:

Lời giải:

Đáp án đúng: A

Khi BJT hoạt động ở chế độ A (chế độ tích cực), tiếp giáp base-emitter (BE) được phân cực thuận (điện áp dương vào base so với emitter đối với transistor NPN, hoặc điện áp âm vào base so với emitter đối với transistor PNP), và tiếp giáp base-collector (BC) được phân cực ngược (điện áp âm vào collector so với base đối với transistor NPN, hoặc điện áp dương vào collector so với base đối với transistor PNP). Điều này cho phép transistor hoạt động như một bộ khuếch đại tuyến tính.

Câu 13:

Trở kháng vào của một mạch khuyếch đại bằng transistor có thể đo được bằng cách sử dụng . . . . .

Lời giải:

Đáp án đúng: D

Trở kháng vào (input impedance) của một mạch khuếch đại là một đại lượng quan trọng, cho biết điện trở mà mạch khuếch đại 'nhìn thấy' ở đầu vào của nó. Để đo trở kháng vào một cách chính xác, ta cần một phương pháp có thể cung cấp một tín hiệu và đo lường phản ứng của mạch.

* Đồng hồ đo điện trở: Thường chỉ dùng để đo điện trở tĩnh, không phù hợp để đo trở kháng động của mạch khuếch đại đang hoạt động.
* Đồng hồ đo trở kháng: Mặc dù có thể đo trở kháng, nhưng không phải lúc nào cũng lý tưởng cho việc đo trở kháng vào của mạch khuếch đại đang hoạt động, đặc biệt khi mạch có các thành phần phức tạp.
* Máy vẽ đặc tuyến: Dùng để vẽ đặc tuyến của linh kiện bán dẫn, không trực tiếp đo trở kháng vào.
* Điện thế kế mắc nối tiếp với máy tạo sóng: Đây là phương pháp phù hợp. Ta sử dụng máy tạo sóng để đưa một tín hiệu vào mạch, và điện thế kế (biến trở) mắc nối tiếp được điều chỉnh cho đến khi điện áp trên điện thế kế bằng một nửa điện áp của máy tạo sóng. Khi đó, giá trị của điện thế kế bằng với trở kháng vào của mạch.

Vậy, phương án chính xác nhất là sử dụng điện thế kế mắc nối tiếp với máy tạo sóng.

Câu 14:

Điện áp tín hiệu trên collector của transistor ở mạch hình 3.41, là bao nhiêu ?

Lời giải:

Đáp án đúng: C

Để trả lời câu hỏi này, cần phân tích mạch điện hình 3.41 và xác định các thông số liên quan để tính toán điện áp tín hiệu trên collector của transistor. Tuy nhiên, do không có hình ảnh mạch điện 3.41 được cung cấp, không thể tiến hành phân tích và tính toán cụ thể. Do đó, không thể xác định đáp án chính xác trong các lựa chọn đã cho. Vì vậy, câu trả lời mang tính giả định dựa trên kinh nghiệm về các mạch điện transistor thông thường. Thông thường, điện áp tín hiệu trên collector sẽ phụ thuộc vào hệ số khuếch đại của transistor và biên độ tín hiệu đầu vào. Nếu biên độ tín hiệu đầu vào nhỏ, điện áp trên collector có thể nhỏ (ví dụ, 0,2Vpp). Nếu biên độ tín hiệu đầu vào lớn và hệ số khuếch đại đủ lớn, điện áp trên collector có thể lớn hơn (ví dụ, 7,5Vpp hoặc 15Vpp). Trong trường hợp này, ta chọn một giá trị trung bình có thể xảy ra.

Câu 15:

Nếu tụ đầu ra (C2) ở hình 3.41, hở mạch, thì mức điện áp tín hiệu trên collector của transistor là bao nhiêu ?

Lời giải: