R, L, C là loại linh kiện:

Điốt bán dẫn được phân cực thuận khi điện áp đặt vào anode (A) lớn hơn điện áp đặt vào cathode (K) một lượng đủ để vượt qua điện áp ngưỡng dẫn điện của điốt (U_D). Điều này có nghĩa là U_AK (U_A - U_K) phải lớn hơn hoặc bằng U_D. Do đó, đáp án đúng là B.

LED là viết tắt của Light Emitting Diode, có nghĩa là điốt phát quang. Đây là một loại điốt bán dẫn có khả năng phát ra ánh sáng khi có dòng điện chạy qua nó. Các điốt thu quang (photodiode) thì ngược lại, chúng hấp thụ ánh sáng và chuyển đổi thành dòng điện. Transistor là một loại linh kiện bán dẫn khác, dùng để khuếch đại hoặc chuyển mạch tín hiệu điện.

Để tính cường độ dòng điện chạy qua diode, ta cần xác định trạng thái của diode (phân cực thuận hay ngược). Trong mạch này, điện áp nguồn dương được kết nối với anode (cực dương) của diode và điện áp nguồn âm được kết nối với cathode (cực âm) của diode, vì vậy diode được phân cực thuận. Do đó, diode sẽ cho dòng điện chạy qua.

Để tính dòng điện, ta sử dụng định luật Ohm: I = U/R

Trong đó:

U là hiệu điện thế trên điện trở. Do diode lý tưởng có điện trở bằng 0 khi phân cực thuận, toàn bộ điện áp nguồn sẽ rơi trên điện trở.

R là giá trị của điện trở.

Vậy, I = 20V / 1428.57Ω ≈ 0.014A = 14mA.

Vậy đáp án đúng là A. 14mA.

Transistor lưỡng cực (BJT) là một loại linh kiện điện tử bán dẫn. Nó được cấu tạo từ vật liệu bán dẫn như silicon hoặc germanium và được sử dụng để khuếch đại hoặc chuyển mạch tín hiệu điện tử. Các lựa chọn khác không mô tả đúng bản chất của transistor lưỡng cực.

* A. Thụ động: Linh kiện thụ động không có khả năng khuếch đại hoặc điều khiển dòng điện. Ví dụ: điện trở, tụ điện.
* C. Dẫn điện: Tất cả các vật liệu đều có khả năng dẫn điện ở một mức độ nào đó, nhưng transistor không chỉ đơn thuần là vật dẫn điện.
* D. Cách điện: Vật liệu cách điện ngăn chặn dòng điện.

Do đó, đáp án chính xác nhất là B. Bán dẫn.

Điện áp UBE (điện áp cực gốc - phát) trong vùng khuếch đại của transistor lưỡng cực (BJT) làm từ Silic (Si) thường có giá trị khoảng 0,7V. Giá trị này tương ứng với điện áp cần thiết để diode PN giữa cực gốc và cực phát bắt đầu dẫn điện, cho phép transistor hoạt động trong vùng khuếch đại.

Các giá trị khác không phù hợp vì:

* 0,3V: Quá thấp để diode PN dẫn điện đáng kể.
* 1V: Quá cao, vượt quá điện áp ngưỡng thông thường của diode Si.
* 0V: Transistor không hoạt động.