JavaScript is required

Trong vùng khuếch đại của một trasistor lưỡng cực chế tạo từ Silic, điện áp cực gốc – phát (UBE) là:

A.

0,3 V

B.

1 V

C.

0V

D.

0,7V

Trả lời:

Đáp án đúng: D


Điện áp UBE (điện áp cực gốc - phát) trong vùng khuếch đại của transistor lưỡng cực (BJT) làm từ Silic (Si) thường có giá trị khoảng 0,7V. Giá trị này tương ứng với điện áp cần thiết để diode PN giữa cực gốc và cực phát bắt đầu dẫn điện, cho phép transistor hoạt động trong vùng khuếch đại. Các giá trị khác không phù hợp vì: * 0,3V: Quá thấp để diode PN dẫn điện đáng kể. * 1V: Quá cao, vượt quá điện áp ngưỡng thông thường của diode Si. * 0V: Transistor không hoạt động.

Câu hỏi liên quan