Quá trình nào sau đây được sử dụng để tạo ra các lớp phủ bảo vệ hoặc lớp dẫn điện trên wafer?

Cả PVD, CVD, ALD và Sputtering đều là các quá trình được sử dụng để tạo ra các lớp phủ bảo vệ hoặc lớp dẫn điện trên wafer trong sản xuất vi mạch. Tuy nhiên, để chọn đáp án chính xác nhất, ta cần xem xét đến phạm vi sử dụng và đặc tính của từng phương pháp:

• PVD (Physical Vapor Deposition): Phương pháp lắng đọng vật lý, trong đó vật liệu được bay hơi từ nguồn và ngưng tụ trên bề mặt wafer. Sputtering là một loại PVD.
• CVD (Chemical Vapor Deposition): Phương pháp lắng đọng hóa học, trong đó các chất phản ứng hóa học tạo thành lớp màng trên bề mặt wafer.
• ALD (Atomic Layer Deposition): Một biến thể của CVD, cho phép kiểm soát độ dày lớp màng ở mức độ nguyên tử, tạo ra các lớp màng mỏng và đồng nhất.
• Sputtering: Một kỹ thuật PVD, trong đó các ion được sử dụng để bắn phá vật liệu nguồn, làm cho các nguyên tử của vật liệu này bắn ra và lắng đọng trên wafer.

Vì câu hỏi không đề cập đến yêu cầu cụ thể về độ mỏng, độ chính xác hay loại vật liệu, và tất cả các phương pháp đều có thể được sử dụng để tạo lớp phủ bảo vệ hoặc dẫn điện, nhưng PVD là khái niệm bao hàm Sputtering, và CVD, ALD là các phương pháp phổ biến và quan trọng trong việc tạo lớp phủ. Tuy nhiên, vì câu hỏi hỏi chung chung, và sputtering là một dạng của PVD, do đó đáp án bao quát nhất là các phương pháp PVD, CVD, và ALD.

Tuy nhiên, đáp án phù hợp nhất trong các lựa chọn là CVD vì nó là một trong các phương pháp phổ biến nhất để tạo lớp phủ trên wafer.