Khi phân cực thuận diode có dòng điện chạy theo chiều:

Điện trở thuận của diode là điện trở khi diode phân cực thuận (anode dương hơn cathode), và điện trở nghịch là điện trở khi diode phân cực ngược (anode âm hơn cathode).

* Diode tốt: Diode tốt có điện trở thuận nhỏ (gần 0) và điện trở nghịch rất lớn (lý tưởng là vô cùng).
* Diode bị nối tắt: Diode bị nối tắt có điện trở thuận và điện trở nghịch đều gần bằng 0.
* Diode bị đứt: Diode bị đứt có điện trở thuận và điện trở nghịch đều rất lớn (lý tưởng là vô cùng).

Vì câu hỏi cho rằng điện trở thuận và điện trở nghịch đều bằng 0, điều này chỉ xảy ra khi diode bị nối tắt.

UJT (Unijunction Transistor) là một loại transistor đặc biệt chỉ có một tiếp giáp P-N duy nhất. Do đó, diode trong UJT có 1 tiếp giáp.

Hiệu điện thế giữa cực thu (Collector) và cực phát (Emitter) của BJT (Bipolar Junction Transistor) được ký hiệu là VCE. VBE là hiệu điện thế giữa cực gốc (Base) và cực phát (Emitter), còn VBC là hiệu điện thế giữa cực gốc (Base) và cực thu (Collector). Do đó, đáp án B là đáp án đúng.

Đường tải tĩnh (DC load line) trên đặc tuyến ngõ ra của JFET biểu diễn mối quan hệ giữa dòng điện ID và điện áp VDS khi mạch ở trạng thái tĩnh (không có tín hiệu xoay chiều). Phương trình đường tải tĩnh thường có dạng tuyến tính, do đó nó là một đường thẳng.

MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) loại tăng kênh N (Enhancement-mode NMOS) hoạt động dựa trên nguyên tắc tạo ra kênh dẫn điện giữa nguồn (Source) và máng (Drain) khi có điện áp đủ lớn đặt vào cổng (Gate).

Điểm khác biệt chính giữa MOSFET tăng kênh N và MOSFET hiếm kênh N (Depletion-mode NMOS) là:

* MOSFET tăng kênh N: Không có sẵn kênh N trong cấu trúc ban đầu. Khi điện áp cổng bằng 0V (VGS = 0V), không có dòng điện chạy qua (ID = 0). Kênh N chỉ được hình thành khi VGS lớn hơn điện áp ngưỡng (Vth). Do đó, nó "tăng cường" kênh dẫn.
* MOSFET hiếm kênh N: Có sẵn một kênh N dẫn điện ngay cả khi VGS = 0V. Để tắt MOSFET, cần đặt một điện áp âm vào cổng (VGS < 0). Nó "làm suy giảm" kênh dẫn.

Như vậy, MOSFET loại tăng kênh N có cấu tạo khác MOSFET loại hiếm kênh N ở chỗ không có sẵn kênh N.

Các lựa chọn khác không đúng vì:

* A. Có sẵn kênh N: Đây là đặc điểm của MOSFET hiếm kênh N.
* C. Có sẵn kênh P: Cả hai loại MOSFET N-channel (tăng kênh và hiếm kênh) đều dựa trên kênh N, không phải kênh P.
* D. Không có sẵn kênh P: Mặc dù cả hai đều không có sẵn kênh P, nhưng đây không phải là điểm khác biệt chính giữa hai loại MOSFET N-channel. Điểm khác biệt cốt lõi là sự hiện diện/vắng mặt của kênh N khi VGS = 0V.