MOSFET loại tăng kênh N có cấu tạo khác MOSFET loại hiếm kênh N:

MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) loại tăng kênh N (Enhancement-mode NMOS) hoạt động dựa trên nguyên tắc tạo ra kênh dẫn điện giữa nguồn (Source) và máng (Drain) khi có điện áp đủ lớn đặt vào cổng (Gate). Điểm khác biệt chính giữa MOSFET tăng kênh N và MOSFET hiếm kênh N (Depletion-mode NMOS) là: * **MOSFET tăng kênh N:** Không có sẵn kênh N trong cấu trúc ban đầu. Khi điện áp cổng bằng 0V (VGS = 0V), không có dòng điện chạy qua (ID = 0). Kênh N chỉ được hình thành khi VGS lớn hơn điện áp ngưỡng (Vth). Do đó, nó "tăng cường" kênh dẫn. * **MOSFET hiếm kênh N:** Có sẵn một kênh N dẫn điện ngay cả khi VGS = 0V. Để tắt MOSFET, cần đặt một điện áp âm vào cổng (VGS < 0). Nó "làm suy giảm" kênh dẫn. Như vậy, MOSFET loại tăng kênh N có cấu tạo khác MOSFET loại hiếm kênh N ở chỗ **không có sẵn kênh N**. Các lựa chọn khác không đúng vì: * **A. Có sẵn kênh N:** Đây là đặc điểm của MOSFET hiếm kênh N. * **C. Có sẵn kênh P:** Cả hai loại MOSFET N-channel (tăng kênh và hiếm kênh) đều dựa trên kênh N, không phải kênh P. * **D. Không có sẵn kênh P:** Mặc dù cả hai đều không có sẵn kênh P, nhưng đây không phải là điểm khác biệt chính giữa hai loại MOSFET N-channel. Điểm khác biệt cốt lõi là sự hiện diện/vắng mặt của kênh N khi VGS = 0V.