Khi kiểm tra một BJT tốt bằng đồng hồ đo điện trở, thì BJT sẽ biểu hiện . . . . . .

Sẽ biểu hiện tỷ số điện trở thuận – nghịch cao trên cả hai tiếp giáp

Sẽ biểu hiện tỷ số điện trở thuận – nghịch cao trên tiếp giáp collector – base

Sẽ biểu hiện tỷ số điện trở thuận – nghịch cao trên tiếp giáp emitter – base

Không phải các ý trên

Trả lời:

Đáp án đúng: A

Khi kiểm tra một BJT (Bipolar Junction Transistor) tốt bằng đồng hồ đo điện trở, ta thực chất đang kiểm tra tính chất của hai diode mắc ngược chiều nhau (giữa base và emitter, và giữa base và collector). Một BJT tốt sẽ có điện trở thấp khi đo theo chiều thuận (forward bias) và điện trở cao khi đo theo chiều ngược (reverse bias) trên cả hai tiếp giáp (junction). * **Tiếp giáp emitter-base:** Điện trở thấp khi đo từ emitter sang base (V_EB > 0) và điện trở cao khi đo từ base sang emitter (V_EB < 0). * **Tiếp giáp collector-base:** Điện trở thấp khi đo từ collector sang base (V_CB > 0) và điện trở cao khi đo từ base sang collector (V_CB < 0). Như vậy, BJT sẽ biểu hiện tỷ số điện trở thuận – nghịch cao trên cả hai tiếp giáp.

200+ câu hỏi trắc nghiệm Kĩ thuật điện hạ thế kèm đáp án chuẩn - Phần 5

20 câu hỏi 60 phút

Bắt đầu thi

Câu hỏi liên quan

Câu 10:

Điện áp DC trên cực base của transistor ở mạch hình 3.41, là bao nhiêu ?

Lời giải:

Đáp án đúng: B

Để tính điện áp DC trên cực base của transistor, ta cần phân tích mạch phân áp. Giả sử mạch phân áp gồm hai điện trở R1 và R2 mắc nối tiếp, với R1 nối từ nguồn VCC xuống base, và R2 nối từ base xuống mass. Điện áp base (VB) được tính theo công thức:

VB = VCC * (R2 / (R1 + R2))

Trong mạch hình 3.41 (mô tả bằng chữ, không có hình ảnh trực quan), ta giả sử VCC = 15V. Để có VB = 0.7V (điện áp base-emitter cần thiết để transistor dẫn), R2 phải nhỏ hơn nhiều so với R1. Phương án B (0.7V) là hợp lý nhất, vì nó phù hợp với điện áp VBE cần thiết để transistor hoạt động ở chế độ khuếch đại (active mode).

Các phương án khác:

* A (0.2V): Quá thấp để transistor dẫn.
* C (7.5V): Điện áp này quá cao so với yêu cầu điện áp base-emitter.
* D (15V): Điện áp này bằng VCC, cho thấy R2 rất lớn hoặc không có, điều này không hợp lý trong mạch phân áp thông thường.

Câu 11:

Tại sao cần phải ổn định mạch khuyếch đại bằng BJT để chống lại sự thay đổi ở beta?

Lời giải:

Đáp án đúng: D

Mạch khuếch đại BJT cần được ổn định để giảm thiểu ảnh hưởng của sự thay đổi beta vì hai lý do chính:

1. Beta thay đổi theo nhiệt độ: Hệ số khuếch đại dòng điện beta (β) của transistor BJT phụ thuộc vào nhiệt độ. Khi nhiệt độ tăng, beta thường tăng lên, dẫn đến sự thay đổi điểm làm việc (Q-point) của transistor. Sự thay đổi này có thể làm mạch hoạt động không ổn định, thậm chí gây ra hiện tượng bão hòa hoặc ngắt, làm sai lệch tín hiệu khuếch đại.

2. Beta khác nhau giữa các transistor cùng loại: Ngay cả khi sử dụng các transistor BJT được sản xuất cùng lô, vẫn có sự khác biệt nhất định về giá trị beta giữa các transistor. Điều này là do sai số trong quá trình sản xuất. Nếu mạch không được ổn định, sự khác biệt về beta giữa các transistor có thể dẫn đến sự khác biệt lớn về hiệu suất của mạch.

Các tụ ghép tầng (phương án B) không ảnh hưởng trực tiếp đến sự thay đổi beta của transistor. Do đó, phương án D (cả a và c) là đáp án đúng nhất.

Câu 12:

Điện áp base tại điểm tĩnh của mạch khuyếch đại phân cực emitter thường bằng . . . . . .

Lời giải:

Đáp án đúng: A

Điện áp base tại điểm tĩnh của mạch khuếch đại phân cực emitter thường được thiết kế sao cho transistor hoạt động trong vùng tích cực (active region). Để đạt được điều này, điện áp base phải lớn hơn điện áp emitter một lượng khoảng 0.7V (đối với transistor BJT silicon). Tuy nhiên, điện áp base cũng cần phải nhỏ hơn điện áp collector để transistor không rơi vào vùng bão hòa. Giá trị 2V là một giá trị điện áp base hợp lý trong nhiều mạch khuếch đại phân cực emitter, đảm bảo transistor hoạt động ở vùng tích cực và có thể khuếch đại tín hiệu một cách hiệu quả.

Câu 13:

Hệ số khuyếch đại điện áp của mạch khuyếch đại phân cực emitter là . . . . .

Lời giải:

Đáp án đúng: B

Trong mạch khuếch đại phân cực emitter, hệ số khuếch đại điện áp phụ thuộc vào các yếu tố như điện trở tải, điện trở emitter và các thông số của transistor. Công thức tính hệ số khuếch đại điện áp có thể khác so với mạch phân cực phân áp. Đáp án B không chính xác vì công thức chung có thể khác. Đáp án C không chính xác vì hệ số khuếch đại không chỉ bằng x re. Đáp án D không chính xác vì hệ số khuếch đại của mạch phân cực emitter không phải lúc nào cũng cao hơn mạch phân cực phân áp. Đáp án A chính xác vì hệ số khuếch đại điện áp phụ thuộc vào beta (β) của transistor, vì beta ảnh hưởng trực tiếp đến dòng điện và do đó ảnh hưởng đến hệ số khuếch đại điện áp của mạch.

Câu 14:

Một trong những ưu điểm chính của việc sử dụng các tụ ghép giữa các tầng là gì?

Lời giải:

Đáp án đúng: B

Ưu điểm chính của việc sử dụng tụ ghép giữa các tầng trong mạch khuếch đại là cho phép các mạch phân cực ở mỗi tầng hoạt động độc lập với nhau. Điều này có nghĩa là, điện áp DC và dòng điện DC ở tầng này không ảnh hưởng đến tầng khác. Điều này rất quan trọng vì nó giúp chúng ta thiết kế các tầng khuếch đại một cách độc lập và tối ưu hóa hiệu suất của từng tầng mà không lo ảnh hưởng lẫn nhau. Các tụ điện chặn dòng điện DC, chỉ cho phép tín hiệu AC đi qua, do đó tách biệt các mạch phân cực DC của mỗi tầng.

Phương án A sai vì tụ ghép chặn tín hiệu DC, không cho phép truyền tín hiệu DC giữa các tầng.
Phương án C sai vì tụ ghép tầng không rẽ mạch điện trở emitter; tụ bỏ qua điện trở emitter là tụ bypass (tụ song song với RE) để tăng hệ số khuếch đại, nhưng đây không phải là mục đích chính của tụ ghép tầng.
Phương án D sai vì chỉ có phương án B đúng.

Câu 15:

Máy điện có rất nhiều loại khác nhau, sử dụng rộng rãi trong công nghiệp, giao thông vận tải, trong sản xuất và đời sống. Có thể phân loại theo các tiêu chí khác nhau: theo công suất, theo cấu tạo, theo loại dòng điện, theo nguyên lý làm việc. Theo tính chất biến đổi năng lượng ta có:

Lời giải: