Điện áp base tại điểm tĩnh của mạch khuyếch đại phân cực emitter thường bằng . . . . . .
Trả lời:
Đáp án đúng: A
Điện áp base tại điểm tĩnh của mạch khuếch đại phân cực emitter thường được thiết kế sao cho transistor hoạt động trong vùng tích cực (active region). Để đạt được điều này, điện áp base phải lớn hơn điện áp emitter một lượng khoảng 0.7V (đối với transistor BJT silicon). Tuy nhiên, điện áp base cũng cần phải nhỏ hơn điện áp collector để transistor không rơi vào vùng bão hòa. Giá trị 2V là một giá trị điện áp base hợp lý trong nhiều mạch khuếch đại phân cực emitter, đảm bảo transistor hoạt động ở vùng tích cực và có thể khuếch đại tín hiệu một cách hiệu quả.





