Độ lệch pha giữa hai tín hiệu vào và ra của mạch khuyếch đại phân cực base bằng . . . . . . .

Khi kiểm tra một BJT (Bipolar Junction Transistor) tốt bằng đồng hồ đo điện trở, chúng ta đang kiểm tra tính chất của hai tiếp giáp p-n (ở BJT loại NPN hoặc PNP). Một BJT tốt sẽ có điện trở thấp khi phân cực thuận và điện trở cao khi phân cực ngược ở cả hai tiếp giáp (emitter-base và collector-base).

- Phương án A: Đúng. Một BJT tốt sẽ có tỷ số điện trở thuận – nghịch cao trên cả hai tiếp giáp. Điều này có nghĩa là khi đo ở chiều thuận, điện trở sẽ thấp (dẫn điện), và khi đo ở chiều nghịch, điện trở sẽ cao (không dẫn điện hoặc dẫn điện rất ít).
- Phương án B: Sai. Tỷ số điện trở thuận – nghịch cao phải có trên cả hai tiếp giáp, không chỉ tiếp giáp collector – base.
- Phương án C: Sai. Tương tự như phương án B, tỷ số điện trở thuận – nghịch cao phải có trên cả hai tiếp giáp, không chỉ tiếp giáp emitter – base.
- Phương án D: Sai. Phương án A đúng, do đó phương án này sai.

Vậy, đáp án đúng là A. Sẽ biểu hiện tỷ số điện trở thuận – nghịch cao trên cả hai tiếp giáp.

Để tính điện áp DC trên cực base của transistor, ta cần xem xét mạch phân áp tạo bởi hai điện trở. Giả sử rằng điện áp nguồn là 15V (như đáp án D gợi ý), và mạch phân áp bao gồm hai điện trở mắc nối tiếp. Điện áp trên cực base sẽ là điện áp rơi trên điện trở mắc từ base xuống mass (GND).

Tuy nhiên, vì không có thông tin cụ thể về giá trị của các điện trở này trong mạch hình 3.41 được cung cấp, chúng ta không thể tính toán chính xác giá trị điện áp DC trên cực base. Thông thường, điện áp base sẽ được thiết kế để phù hợp với yêu cầu hoạt động của transistor.

Nếu giả sử đây là một mạch phân áp thông thường và điện áp rơi trên base khoảng 0.7V là điện áp cần thiết để transistor dẫn điện (đối với transistor BJT silicon), thì đáp án B có thể phù hợp. Tuy nhiên, đây chỉ là một ước tính mà không có thông tin đầy đủ về mạch.

Do thiếu thông tin về mạch điện cụ thể (giá trị điện trở), không thể xác định đáp án chính xác. Trong trường hợp có hình ảnh mạch, việc tính toán sẽ trở nên khả thi hơn.

Nếu giả sử mạch phân áp được thiết kế sao cho điện áp base gần một nửa điện áp nguồn, đáp án C (7.5V) có thể là một lựa chọn hợp lý hơn nếu có các điện trở tương đương nhau.

Với những hạn chế về thông tin, ta tạm chọn đáp án B là đáp án có khả năng đúng nhất dựa trên kinh nghiệm và kiến thức về mạch điện transistor thông thường. Tuy nhiên, cần lưu ý rằng để có kết quả chính xác, cần phải có thông tin chi tiết về sơ đồ mạch và giá trị các linh kiện.

Khi que dương của đồng hồ đo điện trở (Ohm kế) được nối vào base (B) và que âm nối vào collector (C) của transistor NPN, ta sẽ đo được một điện trở thấp. Điều này xảy ra vì:

1. Cấu trúc của Transistor NPN: Transistor NPN có cấu trúc gồm hai lớp bán dẫn N và một lớp bán dẫn P xen giữa. Lớp P ở giữa chính là base (B).

2. Diode Junction: Khi que dương (điện thế cao) nối vào base (B) và que âm (điện thế thấp) nối vào collector (C), điều này tương đương với việc phân cực thuận một diode junction giữa base và collector (B-C). Do đó, dòng điện sẽ dễ dàng chạy qua diode này, dẫn đến điện trở đo được là thấp.

Các phương án khác:

* A. 0: Điện trở 0 chỉ xảy ra khi có một đoạn mạch bị chập hoàn toàn, không đúng trong trường hợp này.
* C. 5k: Giá trị điện trở cụ thể này không cố định và phụ thuộc vào loại transistor cũng như thang đo của đồng hồ, nhưng chắc chắn không phải là giá trị điển hình.
* D. Điện trở cao: Điện trở cao sẽ xuất hiện khi diode B-C bị phân cực ngược, không phải trường hợp này.

Điện trở đo được giữa hai cực collector và emitter của một transistor tốt thường rất cao khi transistor ở trạng thái ngắt (không dẫn điện). Điều này là do collector và emitter tạo thành một tiếp giáp ngược, và ở trạng thái này, điện trở rất lớn. Vì vậy, đáp án D là chính xác nhất.

Để xác định giá trị điện áp trên collector của transistor trong hình 3.40a, chúng ta cần phân tích mạch điện. Tuy nhiên, vì không có hình ảnh mạch điện cụ thể đi kèm, tôi sẽ đưa ra giả định chung và cách tiếp cận để giải quyết bài toán này.

Giả sử mạch điện là một mạch khuếch đại đơn giản với một điện trở collector (Rc) và điện áp nguồn Vcc. Điện áp collector (Vc) có thể được tính bằng công thức:

Vc = Vcc - (Ic * Rc)

Trong đó:
- Vcc là điện áp nguồn cung cấp.
- Ic là dòng điện collector.
- Rc là điện trở collector.

Để tìm ra đáp án đúng, chúng ta cần biết giá trị của Vcc, Rc và Ic. Vì không có thông tin cụ thể, tôi sẽ giả định một số trường hợp có thể xảy ra.

Trường hợp 1: Nếu transistor hoạt động ở chế độ bão hòa, điện áp Vce (điện áp giữa collector và emitter) sẽ rất nhỏ, gần bằng 0. Khi đó, Vc sẽ xấp xỉ điện áp emitter (Ve). Nếu Ve gần bằng 0 (do nối đất hoặc điện trở nhỏ), Vc sẽ gần bằng 0,2V hoặc 0,7V (tùy thuộc vào điện áp Vbe của transistor).

Trường hợp 2: Nếu transistor hoạt động ở chế độ tích cực, dòng điện collector sẽ phụ thuộc vào dòng điện base và hệ số khuếch đại β (beta). Điện áp collector sẽ nằm trong khoảng giữa 0V và Vcc. Ví dụ, nếu Vcc = 15V và (Ic * Rc) = 7,5V, thì Vc = 15V - 7,5V = 7,5V.

Trường hợp 3: Nếu transistor ngắt, dòng điện collector sẽ bằng 0, và Vc sẽ bằng Vcc. Trong trường hợp này, Vc = 15V.

Vì không có thông tin cụ thể về mạch điện, chúng ta không thể xác định chính xác giá trị điện áp trên collector. Tuy nhiên, dựa trên các phương án đưa ra, có vẻ như 7,5V (đáp án C) là một giá trị hợp lý nếu transistor hoạt động ở chế độ tích cực và (Ic * Rc) bằng khoảng một nửa Vcc.

Nếu có hình ảnh mạch điện cụ thể, tôi có thể cung cấp một phân tích chính xác hơn.