Trong mạch điện xoay chiều, cuộn cảm có tính chất cản trở dòng điện xoay chiều. Đại lượng đặc trưng cho khả năng cản trở này gọi là cảm kháng. Dung kháng là đại lượng đặc trưng cho khả năng cản trở dòng điện xoay chiều của tụ điện. Hệ số tự cảm là đại lượng đặc trưng cho khả năng tự cảm của cuộn cảm, không trực tiếp thể hiện khả năng cản trở dòng điện. Điện trở thuần là đại lượng đặc trưng cho sự cản trở dòng điện một chiều và xoay chiều của vật dẫn.
Cảm kháng (ký hiệu là ZL) là đại lượng đặc trưng cho sự cản trở dòng điện xoay chiều của cuộn cảm. Nó có đơn vị là Ohm (Ω), tương tự như điện trở trong mạch điện một chiều.
A. Ω: Đây là đơn vị của điện trở, dung kháng và cảm kháng.
Cảm kháng \(Z_L\) của một cuộn cảm được tính bằng công thức \(Z_L = \omega L\), trong đó \(\omega\) là tần số góc của dòng điện xoay chiều và \(L\) là hệ số tự cảm của cuộn cảm. Như vậy, cảm kháng tỉ lệ thuận với hệ số tự cảm.
Khi pha tạp chất vào chất bán dẫn, ta thay đổi tính chất điện của nó. Phốt pho (P) là nguyên tố nhóm V, có 5 electron hóa trị. Khi pha phốt pho vào Si (Silic, nhóm IV, 4 electron hóa trị), mỗi nguyên tử P sẽ liên kết với 4 nguyên tử Si, và còn dư 1 electron tự do. Các electron tự do này làm tăng mật độ electron trong chất bán dẫn, tạo ra bán dẫn loại N (N viết tắt của Negative, nghĩa là âm, do electron mang điện âm).
Indium (In) là nguyên tố thuộc nhóm III trong bảng tuần hoàn, có 3 electron hóa trị. Khi pha Indium vào chất bán dẫn Silicon (Si), mỗi nguyên tử In sẽ liên kết với 4 nguyên tử Si xung quanh bằng liên kết cộng hóa trị. Do In chỉ có 3 electron hóa trị, nên sẽ tạo ra một "lỗ trống" (hole) trong cấu trúc mạng tinh thể của Si. Lỗ trống này có xu hướng nhận thêm electron để trở nên trung hòa điện. Vì vậy, khi pha In vào Si, ta thu được chất bán dẫn loại P, với hạt tải điện chủ yếu là lỗ trống mang điện tích dương.
