Diode bán dẫn có điện thế là VA > VK thì diode được:

Diode Zener là một loại diode đặc biệt được thiết kế để hoạt động trong vùng điện áp ngược (breakdown region). Khi điện áp ngược đặt vào diode Zener đạt đến một giá trị nhất định (điện áp Zener), diode sẽ cho phép dòng điện chạy qua nó, giữ điện áp trên diode gần như không đổi. Nhờ đặc tính này, diode Zener được sử dụng rộng rãi trong các mạch ổn áp để duy trì điện áp đầu ra ổn định, không đổi khi điện áp đầu vào hoặc dòng tải thay đổi.

Phương án A (Phát quang): Diode phát quang (LED) dùng để phát sáng, không phải chức năng của Diode Zener.
Phương án B (Tách sóng): Diode thường được dùng để tách sóng trong các mạch chỉnh lưu, nhưng Diode Zener không chuyên biệt cho chức năng này.
Phương án C (Ổn áp): Đây là chức năng chính và quan trọng nhất của Diode Zener.
Phương án D (Cả ba câu đều sai): Vì phương án C đúng nên phương án này sai.

LED 7 đoạn là một loại hiển thị số được sử dụng rộng rãi, bao gồm 7 LED đơn lẻ được sắp xếp theo hình dạng số 8. Các LED này có thể được kết nối theo hai cách:

* Anode chung (common anode): Tất cả các anode của 7 LED được nối chung với một chân, và mỗi cathode của LED được điều khiển riêng để hiển thị các đoạn khác nhau.
* Cathode chung (common cathode): Tất cả các cathode của 7 LED được nối chung với một chân, và mỗi anode của LED được điều khiển riêng để hiển thị các đoạn khác nhau.

Vì vậy, cả hai cách ghép nối anode chung và cathode chung đều đúng.

Trong mạch khuếch đại mắc theo kiểu CC (Collector chung), điện áp ra được lấy từ chân Emitter. Đặc điểm của mạch CC là có hệ số khuếch đại điện áp gần bằng 1 (Av ≈ 1), có trở kháng vào lớn và trở kháng ra nhỏ, và quan trọng nhất là tín hiệu ngõ ra cùng pha với tín hiệu ngõ vào. Do đó, đáp án B là đáp án chính xác.

Hiệu điện thế giữa cực nền (Base) và cực phát (Emitter) của transistor BJT được ký hiệu là VBE. Các ký hiệu khác tương ứng với các điện áp khác trong mạch transistor: VBC là điện áp giữa cực nền và cực thu, VCE là điện áp giữa cực thu và cực phát, VDS thường được dùng cho transistor FET (Field-Effect Transistor) thay vì BJT.

Khi BJT dẫn bão hòa, điện áp UBE (điện áp giữa cực base và cực emitter) sẽ không bằng 0V. UBE sẽ có một giá trị dương nhỏ (thường khoảng 0.7V đối với transistor silicon) để kích hoạt transistor. Dòng IC (dòng collector) lớn là một hệ quả của việc transistor dẫn bão hòa, không phải là điều kiện tiên quyết.

Vì vậy, cả A, B và C đều không hoàn toàn đúng trong trường hợp này. Tuy nhiên, khẳng định C sai là chính xác, vì UBE không bằng 0V khi BJT dẫn bão hòa.

Vậy đáp án đúng là D.