Ở chế độ tĩnh, VC của mạch ở hình được xác định theo công thức:

                                                                      

Để tính r_e (điện trở emitter xoay chiều), ta sử dụng công thức: r_e = 26mV / I_E, trong đó I_E là dòng điện emitter một chiều.

1. Tính I_C (dòng collector một chiều): Để tính I_C, trước tiên ta cần tính I_B (dòng base một chiều). Ta có thể ước tính V_B (điện áp base) bằng cách coi V_BE ≈ 0.7V. Do đó, điện áp tại RE (V_E) là V_E = V_B - V_BE. Tuy nhiên, để đơn giản hóa, ta bỏ qua ảnh hưởng của dòng base đến điện áp rơi trên R_B, ta có thể ước tính dòng collector như sau:
Giả sử V_E xấp xỉ 2V. Vậy, I_E = V_E / R_E = 2V / 2200 Ω ≈ 0.91mA. Vì β = 100, ta có I_C ≈ I_E ≈ 0.91mA

2. Tính r_e: Sử dụng công thức r_e = 26mV / I_E = 26mV / 0.91mA ≈ 28.57 Ω

Vì không có đáp án nào gần với 28.57Ω, đáp án đúng nhất là "Ngoài các đáp án trên". Tuy nhiên, cách giải thích trên có một số ước lượng. Để chính xác hơn, chúng ta cần phân tích mạch kỹ hơn và tính toán chính xác hơn giá trị của I_E. Nhưng với thông tin và các lựa chọn đưa ra, đáp án "ngoài các đáp án trên" là hợp lý nhất.

Trở kháng RA trong sơ đồ tương đương của mạch khuếch đại là trở kháng nhìn từ cực collector của transistor. Do giả thiết rce vô cùng lớn (hở mạch), RA chỉ còn là điện trở RC. Vậy RA = RC.

Trong mạch khuếch đại dùng FET như hình vẽ, điện áp V_GS (điện áp giữa cực cổng và cực nguồn) được xác định bằng điện áp rơi trên điện trở R_S do dòng điện I_D chạy qua, và có chiều ngược lại. Do đó, V_GS = -R_SI_D.

Sơ đồ tương đương tín hiệu nhỏ của FET ở hình vẽ cho thấy điện trở vào R_i nhìn từ cổng (Gate) của FET. Vì cổng được cách ly với kênh dẫn bởi lớp oxit, nên điện trở vào chủ yếu là điện trở của các điện trở phân cực cổng. Trong cấu hình mạch này, các điện trở phân cực cổng thường là R₁ và R₂ mắc song song. Do đó, R_i = R₁ // R₂.