Mạch khuếch đại ở hình 7 với các thông số cho ở trên (R_B = 470KΩ, R_c = 2.2KΩ, R_E = 2.2KΩ, V_CC = 20V và β = 100) có trở kháng vào là: Nếu giả thiết bỏ qua r_e

Để vẽ sơ đồ tương đương tín hiệu nhỏ xoay chiều cho mạch khuếch đại, ta cần:
1. Chập các nguồn một chiều xuống đất (0V).
2. Thay thế transistor bằng mô hình tương đương (thường là mô hình hybrid-pi).
3. Vẽ lại mạch điện đã được đơn giản hóa.

Dựa trên các bước trên, hình 14 sau khi được đơn giản hóa và thay thế transistor bằng mô hình tương đương sẽ có dạng ở đáp án 1. Các điện trở R1, R2 được chập lại thành RB, và nguồn dòng điều khiển g_m.V_be được thể hiện rõ ràng.

Méo xuyên tâm (crossover distortion) xảy ra trong tầng khuếch đại công suất, đặc biệt là trong các tầng đẩy kéo (push-pull) loại B. Khi tín hiệu đầu vào gần mức 0, cả hai transistor (NPN và PNP hoặc hai MOSFET) đều tắt. Điều này là do cần một điện áp nhất định (điện áp ngưỡng) để transistor bắt đầu dẫn. Trong khoảng điện áp này, không có dòng điện chạy qua transistor, dẫn đến phần tín hiệu đầu ra bị "méo" hoặc bị cắt bỏ gần điểm 0. Hiện tượng này xảy ra do mỗi transistor chỉ làm việc ở một nửa chu kỳ tín hiệu và không có điện áp phân cực ban đầu hoặc điện áp phân cực không đủ để transistor dẫn ngay cả khi tín hiệu đầu vào rất nhỏ. Điện áp phân cực ban đầu có vai trò đưa transistor vào vùng dẫn để khắc phục méo xuyên tâm.