Khi SCR dẫn điện, muốn tắt SCR thì:

Chất bán dẫn là chất có độ dẫn điện ở mức trung gian giữa chất dẫn điện và chất cách điện. Độ dẫn điện của chất bán dẫn có thể thay đổi đáng kể dưới tác dụng của các yếu tố bên ngoài như nhiệt độ, ánh sáng, điện trường, v.v. Silic (Si) là một ví dụ điển hình về chất bán dẫn được sử dụng rộng rãi trong công nghiệp điện tử để chế tạo các linh kiện như transistor, diode, vi mạch tích hợp. Đồng đỏ và nhôm là các kim loại dẫn điện tốt, còn nước muối là dung dịch điện ly dẫn điện được.

Thyristor (SCR) là một linh kiện bán dẫn có ba cực, hoạt động như một công tắc điện tử. Nó có thể chuyển từ trạng thái tắt sang trạng thái dẫn khi có một dòng điện kích thích vào cực điều khiển (gate) và duy trì trạng thái dẫn cho đến khi dòng điện qua nó giảm xuống dưới một ngưỡng nhất định (dòng duy trì). Vì vậy, Thyristor được sử dụng như một công tắc chuyển mạch.

UJT (Unijunction Transistor) được sử dụng để tạo dao động xung nhờ vào đặc tính điện trở âm của nó. Vùng điện trở âm này cho phép UJT hoạt động như một khóa chuyển mạch nhanh chóng, tạo ra các xung điện áp. Khi điện áp tăng đến một ngưỡng nhất định, điện trở của UJT giảm đột ngột, gây ra sự phóng điện và tạo ra xung.

Công suất của một linh kiện điện tử được tính bằng công thức P = U * I, trong đó P là công suất (đơn vị Watt), U là điện áp (đơn vị Volt), và I là dòng điện (đơn vị Ampere). Trong trường hợp này, U = 0.7V và I = 50mA = 0.05A. Vậy, P = 0.7 * 0.05 = 0.035W = 35mW.

Khi sử dụng transistor lưỡng cực, cần quan tâm đến các tham số giới hạn để đảm bảo transistor hoạt động an toàn và không bị hỏng. Các tham số giới hạn quan trọng nhất bao gồm:

* Dòng điện tối đa cho phép (I_Cmax): Là dòng điện lớn nhất mà transistor có thể chịu được qua cực collector mà không bị hỏng.
* Điện áp ngược cực đại cho phép (V_CEOmax, V_CBOmax, V_EBOmax): Là điện áp lớn nhất mà transistor có thể chịu được giữa các cực collector-emitter, collector-base, và emitter-base khi phân cực ngược. Vượt quá điện áp này có thể gây đánh thủng transistor.
* Công suất tiêu tán tối đa (P_Dmax): Là công suất lớn nhất mà transistor có thể tiêu thụ dưới dạng nhiệt mà không bị hỏng. Công suất tiêu tán được tính bằng tích của điện áp và dòng điện (P = V x I). Nếu công suất tiêu tán vượt quá giới hạn, transistor sẽ nóng lên quá mức và có thể bị hỏng.

Các phương án khác không hoàn toàn chính xác vì:

* Phương án 2 đề cập đến "dòng điện ngược tối đa", nhưng dòng điện ngược thường rất nhỏ và không phải là tham số giới hạn chính.
* Phương án 3 đề cập đến "hệ số nhiệt độ", đây là một đặc tính quan trọng của transistor, nhưng không phải là một tham số giới hạn trực tiếp.
* Phương án 4 đề cập đến "phạm vi tần số sử dụng", đây là một đặc tính quan trọng cho các ứng dụng tần số cao, nhưng không phải là một tham số giới hạn theo nghĩa transistor sẽ bị hỏng nếu vượt quá.