hệ số khuếch đại điện áp của toàn mạch khuếch đại nhiều tầng sẽ bằng với:

Trong mạch khuếch đại hình 7 (mà không có hình vẽ cụ thể), với giả thiết rce vô cùng lớn, trở kháng RA của mạch được xác định bởi các thành phần mắc song song với điểm A. Theo thông tin đã cho, ZB = βre + (1+β)RE. Do rce rất lớn nên nó không ảnh hưởng đáng kể đến trở kháng nhìn từ điểm A. Trở kháng RA sẽ bao gồm RC mắc song song với ZB. Vì vậy đáp án đúng nhất là RC//ZB.

Để tính hệ số khuếch đại dòng điện của mạch, ta sử dụng công thức gần đúng: A_i ≈ R_c / R_E. Trong đó, R_c = 1 kΩ = 1000 Ω và R_E = 600 Ω. Vậy, A_i ≈ 1000 / 600 ≈ 1,67. Tuy nhiên, vì các đáp án không có giá trị nào gần với 1,67, ta xem xét các yếu tố khác có thể ảnh hưởng đến hệ số khuếch đại. Trong mạch này, điện trở R1 và R2 tạo thành mạch phân áp, và R_B là điện trở tương đương của mạch phân áp này. Vì R_B >> βr_e (điều kiện cho trong đề bài), ta có thể bỏ qua ảnh hưởng của R_B. Do đó, hệ số khuếch đại dòng điện gần đúng là R_c/R_E. Vì không có đáp án nào phù hợp, đáp án đúng là "ngoài các đáp án trên". Cần lưu ý rằng hệ số khuếch đại điện áp sẽ khác và có thể liên quan đến các giá trị điện trở khác.

Trong sơ đồ đẩy kéo, diode D1 và D2 có hai nhiệm vụ chính: 1. Tạo điện áp phân cực ban đầu cho T1, T2: Các diode này tạo ra một điện áp nhỏ để phân cực các transistor T1 và T2. Điều này giúp giảm hiện tượng méo xuyên tâm, đặc biệt là ở các tín hiệu nhỏ. Nếu không có điện áp phân cực này, transistor có thể không dẫn điện cho đến khi tín hiệu đầu vào vượt qua một ngưỡng nhất định, gây ra méo tín hiệu. 2. Giảm méo xuyên tâm: Bằng cách tạo ra một điện áp phân cực ban đầu, diode D1 và D2 giúp các transistor dẫn điện ngay cả với các tín hiệu đầu vào rất nhỏ, giảm thiểu sự gián đoạn trong tín hiệu và giảm méo xuyên tâm. Vì vậy, đáp án D (B và C đều đúng) là chính xác.