Hệ số khuếch đại điện áp của mạch Collector chung (CC):

Khi vẽ sơ đồ tương đương tín hiệu nhỏ xoay chiều cho mạch khuếch đại dùng transistor, ta cần loại bỏ ảnh hưởng của các thành phần một chiều và chỉ giữ lại các thành phần xoay chiều. Điều này được thực hiện bằng cách:

1. Ngắn mạch các tụ điện: Các tụ điện có trở kháng rất nhỏ đối với tín hiệu xoay chiều (XC = 1/(2πfC)), do đó chúng được coi như ngắn mạch trong sơ đồ tương đương xoay chiều. Điều này cho phép tín hiệu xoay chiều đi qua một cách dễ dàng.
2. Thiết lập các nguồn cung cấp một chiều về 0V (nối mass): Các nguồn cung cấp một chiều được coi là ngắn mạch đối với tín hiệu xoay chiều vì chúng duy trì một điện áp cố định. Do đó, chúng được nối xuống mass (0V) trong sơ đồ tương đương xoay chiều.

Vì vậy, cả hai hành động trên (ngắn mạch tụ và thiết lập nguồn một chiều về 0V) đều đúng.

Ưu điểm chính của việc sử dụng tụ ghép giữa các tầng trong mạch khuếch đại nhiều tầng là cho phép các mạch phân cực trong mỗi tầng hoạt động độc lập với nhau. Điều này là do tụ điện chặn dòng điện một chiều (DC) trong khi cho phép dòng điện xoay chiều (AC) đi qua. Vì vậy, mỗi tầng có thể được phân cực một cách tối ưu mà không bị ảnh hưởng bởi các tầng khác. Đáp án B đúng. Đáp án A sai vì tụ ghép *chặn* tín hiệu DC, không cho phép truyền. Đáp án C sai vì tụ ghép không rẽ mạch điện trở emitter; điện trở emitter có thể được rẽ mạch bởi một tụ khác (tụ bypass emitter), không phải tụ ghép tầng. Do đó, đáp án D (B và C đều đúng) cũng sai.

Tần số giới hạn trên của bộ khuếch đại dải rộng bị ảnh hưởng bởi các tụ điện mắc song song với tải và điện trở tải. Các tụ điện này tạo ra một đường dẫn trở kháng thấp cho các tín hiệu tần số cao, làm suy giảm chúng. Điện trở tải ảnh hưởng đến độ усиление (gain) và băng thông của bộ khuếch đại. Trở kháng ra cũng ảnh hưởng đến tần số giới hạn trên, nhưng ảnh hưởng của nó thường ít quan trọng hơn so với điện trở tải và các tụ điện mắc song song với tải. Do đó, đáp án chính xác nhất là cả A và B.

Tầng khuếch đại công suất thường được thiết kế để cung cấp công suất lớn cho tải. Do đó, transistor trong tầng này thường hoạt động ở chế độ phi tuyến tính để đạt hiệu suất cao hơn. Việc sử dụng miền phi tuyến tính cho phép transistor chuyển đổi năng lượng DC thành năng lượng AC một cách hiệu quả hơn, mặc dù có thể gây ra méo tín hiệu. Tuy nhiên, méo này có thể được giảm thiểu bằng các kỹ thuật khác. Vì vậy, đáp án chính xác là 'không làm việc trong miền tuyến tính'.

Trong mạch khuếch đại dùng FET (Field-Effect Transistor), điện áp VGS (điện áp giữa cực cổng và cực nguồn) được xác định chủ yếu bởi điện áp nguồn cung cấp cho cực cổng (VGG) và điện áp rơi trên điện trở nguồn (RS) do dòng điện ID (dòng điện máng) chạy qua. Trong cấu hình mạch phân cực dùng điện trở nguồn, VGS = VG - VS. Thông thường, VG được thiết lập bằng một nguồn điện áp (VGG) hoặc một mạch phân áp. VS = ID * RS. Do đó, VGS sẽ phụ thuộc vào VGG và ID*RS. Tuy nhiên, phương án gần đúng nhất và phổ biến nhất trong các bài toán lý thuyết là VGS ≈ -VGG khi bỏ qua ảnh hưởng của dòng điện cổng. Trong các phương án đưa ra, –VGG là đáp án phù hợp nhất.