Diodbán dẫn được phân cực thuận khi điện áp đặt lên diod phải:

Để transistor N-P-N dẫn điện, cần có hai điều kiện:
1. Vùng B-E (Base-Emitter) phải được phân cực thuận, tức là U_B > U_E.
2. U_C (điện áp Collector) phải lớn hơn U_B (điện áp Base).

Kết hợp hai điều kiện trên, ta có: U_C > U_B > U_E.

Để transistor lưỡng cực PNP dẫn điện, cần thỏa mãn các điều kiện sau:

1. Phân cực ngược cho mối nối Collector-Base (CB): Điện áp ở Collector (U_C) phải thấp hơn điện áp ở Base (U_B), tức là U_C < U_B.
2. Phân cực thuận cho mối nối Emitter-Base (EB): Điện áp ở Emitter (U_E) phải cao hơn điện áp ở Base (U_B), tức là U_E > U_B.

Kết hợp hai điều kiện trên, ta có U_C < U_B < U_E. Điều này đảm bảo dòng điện chạy từ Emitter sang Collector.

Vì vậy, đáp án đúng là U_C < U_B < U_E.

Transistor lưỡng cực (BJT) là một loại linh kiện bán dẫn. Nó được cấu tạo từ các lớp vật liệu bán dẫn (silicon hoặc germanium) và hoạt động dựa trên việc điều khiển dòng điện giữa hai cực thông qua dòng điện hoặc điện áp ở cực thứ ba. Các lựa chọn khác không chính xác vì transistor không phải là linh kiện thụ động (cần nguồn năng lượng để hoạt động), cũng không chỉ đơn thuần là dẫn điện hay cách điện (nó có thể hoạt động ở cả hai trạng thái này).

Để xác định phương pháp phân cực cho transistor trong hình, chúng ta cần quan sát cách các điện trở được kết nối với chân đế (base) của transistor.

Phân tích các phương án:
* Phương án 1: Định thiên bằng cầu phân áp. Phương pháp này sử dụng hai điện trở (R1 và R2) mắc nối tiếp giữa nguồn Vcc và đất (GND). Điểm giữa của hai điện trở này (chính là cầu phân áp) được nối tới chân base của transistor, tạo ra một điện áp base ổn định. Trong hình, chúng ta thấy rõ ràng R1 và R2 được mắc theo cấu hình này.
* Phương án 2: Định thiên bằng dòng IB cố định. Phương pháp này chỉ sử dụng một điện trở (RB) nối từ Vcc đến base. Sơ đồ trong hình không có cấu hình này.
* Phương án 3: Định thiên bằng hồi tiếp âm điện áp. Phương pháp này thường có một điện trở nối từ chân collector về chân base, tạo ra một vòng hồi tiếp âm để ổn định điểm phân cực. Sơ đồ trong hình không có cấu hình này.
* Phương án 4: Tất cả các cách trên. Vì chỉ có một phương pháp đúng, nên phương án này sai.

Do đó, dựa vào cấu trúc mạch, đặc biệt là sự hiện diện của hai điện trở R1 và R2 tạo thành một cầu phân áp tại chân base, ta kết luận đây là phương pháp định thiên bằng cầu phân áp.

Transistor trường (FET - Field-Effect Transistor) là một loại transistor sử dụng điện trường để điều khiển độ dẫn điện của kênh dẫn giữa hai cực (source và drain). FET được cấu tạo từ vật liệu bán dẫn, do đó nó là một linh kiện bán dẫn. Các loại FET phổ biến bao gồm JFET và MOSFET.