Một BJT có cấu tạo để vùng base của nó rất mõng và...........

A. Được pha tạp đậm

B. Được pha tạp như vùng collector

C. Được pha tạp loãng

D. Được pha tạp như vùng emitter

Trả lời:

Đáp án đúng: C

Vùng base của BJT được thiết kế rất mỏng và được pha tạp loãng hơn so với vùng emitter và collector. Việc pha tạp loãng giúp giảm thiểu số lượng lỗ trống (trong transistor NPN) hoặc điện tử (trong transistor PNP) bị hút vào vùng base từ vùng emitter, từ đó tăng hiệu quả khuếch đại của transistor. Do đó, đáp án C là chính xác. Các lựa chọn khác không đúng vì: * A. Được pha tạp đậm: Pha tạp đậm ở vùng base sẽ làm giảm hệ số khuếch đại. * B. Được pha tạp như vùng collector: Mức độ pha tạp giữa base và collector khác nhau. * D. Được pha tạp như vùng emitter: Emitter được pha tạp đậm hơn base để tăng khả năng phát xạ hạt tải điện.

200+ câu hỏi trắc nghiệm Máy điện đáp án và lời giải minh họa - Phần 3

50 câu hỏi 60 phút

Bắt đầu thi

Câu hỏi liên quan

Câu 22:

Để gọi Công an PCCC (cứu hỏa) phải gọi số điện thoại nào sau đây:

Lời giải:

Đáp án đúng: B

Số điện thoại để gọi Công an PCCC (cứu hỏa) là 114. Các số điện thoại khác có mục đích sử dụng khác: 113 là số điện thoại của Cảnh sát phản ứng nhanh, 115 là số điện thoại của Cấp cứu y tế, và 1080 là một tổng đài dịch vụ (tùy thuộc nhà cung cấp).

Câu 23:

Thời hạn khám sức khỏe định kỳ cho công nhân QLVH, sửa chữa được quy định tối thiểu là:

Lời giải:

Đáp án đúng: B

Câu hỏi yêu cầu xác định thời hạn khám sức khỏe định kỳ tối thiểu cho công nhân QLVH (quản lý vận hành) và sửa chữa. Theo quy định hiện hành về an toàn và sức khỏe nghề nghiệp, thời hạn khám sức khỏe định kỳ cho đối tượng này thường là 6 tháng. Do đó, đáp án A là chính xác nhất.

Câu 24:

Khoảng cách an toàn cho phép để đặt rào chắn đến phần có điện đối với cấp điện áp 110kV là:

Lời giải:

Đáp án đúng: C

Theo quy định về an toàn điện, khoảng cách an toàn cho phép để đặt rào chắn đến phần có điện đối với cấp điện áp 110kV là 1,5m. Các phương án khác không đúng theo quy định này.

Câu 25:

Dòng collector của BJT luôn luôn . . . .

Lời giải:

Đáp án đúng: D

Dòng collector (IC) trong BJT được hình thành từ dòng emitter (IE) sau khi một phần nhỏ dòng IE đi qua base (IB). Do đó, IC = IE - IB. Vì dòng base thường rất nhỏ so với dòng emitter, dòng collector gần bằng dòng emitter nhưng luôn nhỏ hơn một lượng bằng dòng base. Do đó, đáp án D là chính xác nhất.

Câu 26:

Khi một chuyển mạch bằng BJT đang dẫn, thì dòng collector sẽ được giới hạn bởi . . . . . .

Lời giải:

Đáp án đúng: B

Khi BJT hoạt động như một chuyển mạch và đang ở trạng thái dẫn (bão hòa), dòng collector (Ic) sẽ được giới hạn chủ yếu bởi điện trở tải (R_C) trong mạch collector và điện áp nguồn cung cấp (Vcc). Dòng base (Ib) cần đủ lớn để đưa transistor vào vùng bão hòa, nhưng giá trị cuối cùng của Ic bị giới hạn bởi R_C và Vcc theo công thức Ic ≈ Vcc/R_C. Điện áp base (Vbe) duy trì ở mức khoảng 0.7V khi transistor dẫn, và điện trở base (Rb) ảnh hưởng đến dòng base, nhưng không trực tiếp giới hạn dòng collector khi transistor đã bão hòa. Do đó, đáp án chính xác là B.

Câu 27:

Ba thông số quan trọng của BJT là beta, công suất tiêu tán lớn nhất, và . . . . . . . .

Lời giải: