Khi một chuyển mạch bằng BJT đang dẫn, thì dòng collector sẽ được giới hạn bởi . . . . . .

Trở kháng vào của mạch khuếch đại phân cực base (common-emitter amplifier) tỉ lệ thuận với hệ số khuếch đại dòng điện β (beta). Điều này là do trở kháng vào chủ yếu được xác định bởi điện trở rπ (điện trở base-emitter), và rπ có mối quan hệ tỉ lệ nghịch với dòng collector (Ic) và tỉ lệ thuận với β. Do đó, trở kháng vào cũng tỉ lệ thuận với β.

Trong mạch khuếch đại phân cực base, tín hiệu ra ở collector sẽ ngược pha 180° so với tín hiệu vào ở base. Điều này là do sự hoạt động của transistor: khi điện áp ở base tăng, dòng collector tăng, dẫn đến điện áp ở collector giảm và ngược lại. Do đó, đáp án đúng là 180°.

Để tính điện áp DC trên cực base của transistor, ta cần phân tích mạch phân áp. Điện áp base (Vb) được xác định bởi công thức: Vb = (R2 / (R1 + R2)) * Vcc. Trong mạch này, nếu các giá trị điện trở R1 và R2 không được chỉ ra, và điện áp Vcc cũng không được cung cấp cụ thể trong thông tin đã cho, ta không thể tính toán chính xác giá trị điện áp Vb. Tuy nhiên, theo kiến thức cơ bản về mạch transistor BJT, điện áp VBE (điện áp giữa base và emitter) thường vào khoảng 0.7V đối với transistor silicon khi nó ở trạng thái dẫn. Nếu emitter được nối mass (0V), thì điện áp base sẽ xấp xỉ 0.7V. Nếu không có thông tin mạch cụ thể hơn, giả định này là hợp lý nhất để chọn một đáp án.
Nếu mạch có phân áp rõ ràng và emitter không nối mass, cần thông tin đầy đủ hơn để tính toán chính xác Vb. Trong trường hợp này, ta giả định là một mạch cơ bản và chọn đáp án phù hợp nhất dựa trên kiến thức chung.
Như vậy, dựa trên kiến thức về điện áp VBE của transistor silicon, đáp án B (0,7V) có vẻ hợp lý nhất trong trường hợp không có thông tin đầy đủ về mạch phân áp.