Tọa độ điểm phân cực Q của BJT là:

Điểm phân cực (Q-point) của BJT xác định trạng thái hoạt động tĩnh của transistor. Khi IB (dòng base) tăng, IC (dòng collector) cũng tăng theo do IC ≈ β*IB, trong đó β là hệ số khuếch đại dòng điện của transistor. Khi IC tăng, điện áp VCE (điện áp collector-emitter) giảm vì VCE = VCC - RC*IC (VCC là điện áp nguồn cung cấp và RC là điện trở collector). Do đó, đáp án đúng là B.

Đường tải tĩnh (DC load line) trên đặc tuyến ngõ ra của BJT (Bipolar Junction Transistor) biểu diễn mối quan hệ giữa dòng điện collector (Ic) và điện áp collector-emitter (Vce) khi không có tín hiệu vào. Đường tải tĩnh là một đường thẳng, không phải đường cong hay đường tròn, và nó không phải là quỹ tích của điểm phân cực Q (điểm Q là một điểm cụ thể trên đường tải tĩnh). Do đó, đáp án đúng nhất là "Quỹ tích của điểm phân cực Q".

Khi BJT (Bipolar Junction Transistor) dẫn điện (ở chế độ active hoặc saturation), mối nối P-N giữa B (Base) và E (Emitter) phải được phân cực thuận để cho phép dòng điện chạy từ E sang B (đối với transistor NPN) hoặc từ B sang E (đối với transistor PNP). Do đó, đáp án A đúng.

Mối nối P-N giữa B (Base) và C (Collector) thường được phân cực ngược (ở chế độ active) để ngăn dòng điện chạy trực tiếp từ C sang B (đối với NPN) hoặc từ B sang C (đối với PNP). Nếu mối nối này được phân cực thuận, transistor có thể ở chế độ saturation. Do đó, đáp án B không hoàn toàn sai, nhưng đáp án A chính xác hơn trong ngữ cảnh chung của việc transistor dẫn điện.

Vì đáp án A đúng và đáp án B không hoàn toàn đúng trong mọi trường hợp, nên đáp án C (cả a và b đều đúng) không chính xác.

Vậy, đáp án đúng nhất là A. Tuy nhiên, vì đáp án B không hoàn toàn sai và cần xét thêm trạng thái hoạt động, nên ta xét trường hợp BJT hoạt động ở chế độ tích cực (active), đáp án A chính xác nhất.

MOSFET loại hiếm (hay còn gọi là depletion-mode MOSFET) kênh P khác với MOSFET loại tăng cường (enhancement-mode) kênh P ở chỗ nó đã có sẵn một kênh dẫn P ngay cả khi điện áp cổng bằng 0. MOSFET tăng cường kênh P thì không có kênh dẫn khi VGS = 0, phải có điện áp âm đặt vào cổng (VGS âm) thì mới hình thành kênh dẫn P.

MOSFET loại hiếm (hay còn gọi là depletion-mode MOSFET) khác với MOSFET loại tăng cường (enhancement-mode MOSFET) ở chỗ nó có sẵn một kênh dẫn điện giữa nguồn (source) và máng (drain) ngay cả khi điện áp cổng (gate) bằng không. MOSFET tăng cường thì không có kênh dẫn điện sẵn, cần phải có một điện áp cổng đủ lớn để tạo ra kênh dẫn điện. Vì vậy, MOSFET loại hiếm kênh N có sẵn kênh N, còn MOSFET tăng kênh N thì không. Do đó, phương án B đúng, phương án A sai.