Thời hạn thí nghiệm định kỳ găng tay cách điện cao áp là bao nhiêu?

Câu hỏi này liên quan đến an toàn lao động khi làm việc trên cao. Khi làm việc trên cao, nguy cơ ngã là rất lớn, do đó cần thực hiện các biện pháp phòng ngừa để bảo vệ người lao động.

Phương án A: Đội mũ BHLĐ có cài quai là biện pháp quan trọng để bảo vệ đầu khỏi các vật rơi từ trên cao xuống. Việc cài quai giúp mũ không bị rơi ra khi người lao động bị ngã.

Phương án B: Không được hút thuốc lá là quy định chung về an toàn lao động, đặc biệt quan trọng ở những nơi có nguy cơ cháy nổ cao. Tuy nhiên, nó không trực tiếp liên quan đến việc phòng ngừa ngã cao.

Phương án C: Đeo dây an toàn vào những điểm cố định chắc chắn là biện pháp quan trọng nhất để ngăn ngừa ngã cao. Dây an toàn giúp giữ người lao động lại trong trường hợp bị trượt chân hoặc mất thăng bằng.

Phương án D: "Cả a, b, c đều đúng" là đáp án đúng vì tất cả các biện pháp trên đều quan trọng để đảm bảo an toàn khi làm việc trên cao. Tuy nhiên, đeo dây an toàn là yếu tố quan trọng nhất để phòng tránh ngã.

Trong cấu trúc của BJT (Bipolar Junction Transistor), vùng base được thiết kế rất mỏng so với vùng collector và emitter. Điều này là để đảm bảo phần lớn các hạt mang điện (electrons hoặc holes) được tiêm từ emitter qua base sẽ đến được collector, tạo ra dòng điện lớn ở collector và đạt được hệ số khuếch đại cao. Nếu vùng base quá dày, các hạt mang điện sẽ có nhiều khả năng tái hợp trong vùng base, làm giảm dòng collector và hiệu suất của transistor.

Trong cấu trúc của BJT (Bipolar Junction Transistor), vùng base được thiết kế rất mỏng và có mức độ pha tạp loãng hơn so với vùng emitter và collector. Điều này là do:

• Vùng base mỏng: Để giảm thiểu số lượng điện tích thiểu số (minority carriers) bị tái hợp trong vùng base trước khi chúng có thể đến vùng collector. Việc này giúp tăng hệ số khuếch đại dòng điện (β hoặc hFE) của transistor.


• Pha tạp loãng: Việc pha tạp loãng trong vùng base cũng giúp tăng độ rộng vùng nghèo (depletion region) và giảm điện dung giữa base và collector, cải thiện hiệu suất hoạt động ở tần số cao. Đồng thời, nó cũng giúp tăng điện áp đánh thủng của transistor.

Vì vậy, đáp án C là chính xác nhất.