Tại sao khi sử dụng thanh ghi địa chỉ bộ nhớ, độ dài mã lệnh truy cập bộ nhớ sẽ ngắn hơn?

Điều kiện GE (Gain Element) xảy ra khi NF ≠ VF, trong đó:

* NF (Noise Figure): Hệ số tạp âm.
* VF (Voltage Figure): Hệ số điện áp.

Điều này có nghĩa là hệ số tạp âm khác với hệ số điện áp. Khi đó, phần tử khuếch đại sẽ tạo ra khuếch đại công suất tín hiệu lớn hơn so với khuếch đại tạp âm, dẫn đến hệ số tạp âm tổng thể của hệ thống được cải thiện. Các đáp án khác không liên quan đến điều kiện GE.

Mã điều kiện LE (Less or Equal) xảy ra khi ZF = 1 (Zero Flag bằng 1, tức là kết quả bằng 0) HOẶC NF ≠ VF (Negative Flag khác Overflow Flag). Điều này có nghĩa là, hoặc kết quả bằng 0, hoặc có tràn số và số âm không tương ứng với kết quả (ví dụ, tràn số dương thành số âm hoặc ngược lại). Do đó, đáp án đúng là A.

Để điều khiển ghi một chip nhớ trong hệ thống vi xử lý, cần thực hiện các bước sau:

1. Cấp tín hiệu chọn chip nhớ: Chọn chip nhớ cụ thể mà bạn muốn ghi dữ liệu vào.
2. Cấp địa chỉ để xác định ô nhớ cần ghi: Xác định vị trí ô nhớ cụ thể bên trong chip nhớ đã chọn để ghi dữ liệu.
3. Cấp dữ liệu vào data bus: Đặt dữ liệu mà bạn muốn ghi vào ô nhớ lên data bus.
4. Cấp tín hiệu điều khiển ghi: Phát tín hiệu điều khiển để chip nhớ thực hiện thao tác ghi dữ liệu từ data bus vào ô nhớ đã chọn.

Như vậy, đáp án A là đáp án chính xác nhất vì nó bao gồm tất cả các bước cần thiết để ghi dữ liệu vào chip nhớ. Các đáp án khác thiếu hoặc sai thứ tự các bước cần thiết.

Các hệ thống vi xử lý yêu cầu dung lượng bộ nhớ lớn thường sử dụng DRAM (Dynamic Random Access Memory) làm bộ nhớ chính vì DRAM có giá thành rẻ hơn so với các loại bộ nhớ khác như SRAM (Static RAM). Mặc dù DRAM có tốc độ truy cập chậm hơn và cần chu kỳ làm tươi để duy trì dữ liệu, nhưng ưu điểm về giá thành khiến nó trở thành lựa chọn phù hợp cho các hệ thống cần dung lượng bộ nhớ lớn. Các lựa chọn còn lại không đúng vì:
- Tốc độ truy cập của DRAM chậm hơn SRAM.
- DRAM cần chu kỳ làm tươi.
- DRAM tiêu thụ năng lượng tương đương hoặc nhiều hơn SRAM trong quá trình làm tươi.

DRAM (Dynamic Random Access Memory) và SRAM (Static Random Access Memory) khác nhau ở nhiều đặc điểm quan trọng:

* Cấu tạo của tế bào nhớ: DRAM sử dụng một tụ điện và một transistor để lưu trữ mỗi bit dữ liệu. Tụ điện cần được làm tươi (refresh) định kỳ để duy trì dữ liệu, vì điện tích trong tụ điện sẽ bị rò rỉ theo thời gian. SRAM sử dụng các flip-flop (thường là 4-6 transistor) để lưu trữ mỗi bit dữ liệu. Do đó, SRAM không cần làm tươi và dữ liệu được giữ nguyên miễn là có nguồn điện.

* Tốc độ truy cập: SRAM nhanh hơn DRAM đáng kể. Điều này là do SRAM không cần thời gian để làm tươi dữ liệu như DRAM. SRAM thường được sử dụng trong các ứng dụng bộ nhớ cache, nơi tốc độ truy cập là yếu tố quan trọng.

* Độ ổn định của dữ liệu: SRAM có độ ổn định dữ liệu cao hơn DRAM. Vì SRAM không cần làm tươi, dữ liệu được lưu trữ ổn định hơn và ít bị mất mát do rò rỉ điện tích hơn. Tuy nhiên, cả hai loại bộ nhớ đều dễ bị ảnh hưởng bởi các yếu tố bên ngoài như nhiễu điện từ và nhiệt độ.

Vì cả ba đặc điểm trên đều khác nhau giữa DRAM và SRAM, đáp án đúng là "Cả ba câu kia đều đúng".