Trong mạch transistor, kiểu mắc cực phát chung (Common Emitter) là kiểu mắc mà cực phát (E) được nối chung giữa mạch vào (base) và mạch ra (collector). Do đó, đáp án đúng là B. CE.
Trong mạch khuếch đại dùng transistor mắc theo kiểu CB (Common Base), tín hiệu ngõ ra và ngõ vào luôn cùng pha. Điều này là do tín hiệu vào được đưa vào cực phát (Emitter) và tín hiệu ra được lấy từ cực góp (Collector), trong khi cực gốc (Base) được giữ ở điện thế chung. Do đó, không có sự đảo pha giữa tín hiệu vào và ra.
Điểm làm việc tĩnh (Q-point) hay điểm phân cực (quiescent point) là trạng thái hoạt động DC của một transistor khi không có tín hiệu ngõ vào. Đối với JFET, điểm Q được xác định bởi các tham số sau:
* VGS: Điện áp cổng-nguồn (Gate-Source voltage). Đây là điện áp điều khiển dòng điện ID. * ID: Dòng điện máng (Drain current). Đây là dòng điện chạy qua JFET khi có điện áp VGS. * VDS: Điện áp máng-nguồn (Drain-Source voltage). Đây là điện áp giữa cực máng và cực nguồn.
Theo đặc tuyến ngõ ra của JFET kênh N, dòng ID (dòng máng) đạt giá trị bão hòa cao nhất khi điện áp cổng nguồn VGS = 0V. Khi VGS âm (ví dụ: -1V, -2V), dòng ID sẽ giảm do sự thu hẹp kênh dẫn bởi điện áp ngược đặt vào giữa cổng và kênh.
MOSFET loại tăng cường (hay còn gọi là tăng kênh) hoạt động dựa trên việc tạo ra kênh dẫn điện bằng cách áp một điện áp thích hợp lên cổng (Gate). Đối với MOSFET tăng kênh P, kênh P không tồn tại sẵn trong cấu trúc mà được hình thành khi điện áp cổng đủ âm so với nguồn (Source). Trong khi đó, MOSFET loại hiếm kênh P đã có sẵn một kênh P. Do đó, MOSFET loại tăng kênh P không có sẵn kênh P.
